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南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線

  • 　　才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。 　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星 　　根據(jù)DIGITIMES
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DRAM模塊大者越大　金士頓全球市占突破40%

  • 　　存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預計2010年會提升至242億美元之多。 　　2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
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擴大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導體產(chǎn)線設(shè)置

  • 　　為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。 　　據(jù)南韓MT News報導，三星23日動工的京畿道華城半導體新工廠名稱，并不是當初預定的17號產(chǎn)線，而命名為16號產(chǎn)線。 　　三星相關(guān)人員指出，過去存儲器半導體市場規(guī)模較小，對于景氣好壞的循環(huán)相當敏感，因此過去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式，以換取投資時差并減低風險。 　　但目前三星在內(nèi)存市場的規(guī)模已夠大，必須一次擴大生產(chǎn)量規(guī)模
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三星的行動讓業(yè)界生畏

  • 　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 　　南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了

  • 　　南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 　　三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。 　　南亞科董事
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三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年P(guān)C市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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5月DRAM合約價出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 　　2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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英飛凌爾必達和解專利糾紛 達成交叉授權(quán)協(xié)議

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布，公司已經(jīng)與日本爾必達就半導體技術(shù)專利糾紛達成和解。 　　英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時稱，雙方已經(jīng)同意交叉授權(quán)半導體專利技術(shù)，公司不會公布和解協(xié)議的具體財務(wù)條款。 　　爾必達是日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商，它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng)新技術(shù)專利向美國地方法院和國際貿(mào)易委員會提出了訴訟。 　　英飛凌負責銷售、營銷與技術(shù)的管理委員會成員Hermann Eul表示：“我們期待著兩家公司能夠保持長久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達就專利侵權(quán)訴訟達成和解

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達及其客戶。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對英飛凌提起兩項訴訟。 　　英飛凌與爾必達通過半導體技術(shù)專利交叉許可，就專利侵權(quán)訴訟達成和解。具體許可條款未透露。 　　英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術(shù)和研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單

  • 　　歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構(gòu)成壟斷，并開出總額達3.31億歐元的罰單。 　　歐盟委員會當天發(fā)表聲明說，這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設(shè)定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規(guī)定。 　　根據(jù)這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉，韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
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最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢擴大

  • 　　市場調(diào)研機構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。 　　Q1的市場排名中依銷售額計，三星居首位，接下來為海力士，爾必達，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創(chuàng)科技。 　　臺灣的茂德與力晶半導體由于產(chǎn)能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認為力晶受益于其技術(shù)向Elpida的65nm XS技術(shù)過渡, 所以超
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三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能 競爭對手咋舌

  • 　　三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預計三星今年支出總額將達26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。 　　據(jù)悉，三星半導體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會時還表示，三星不會盲目擴大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會重視產(chǎn)品價值，穩(wěn)定產(chǎn)品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應(yīng)該把注意力放在工藝升級和高端產(chǎn)品的研發(fā)
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三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年P(guān)C市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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三星電子2010年整體投資將達26兆韓元

  • 　　三星電子在16號半導體生產(chǎn)線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預計能月產(chǎn)12英寸半導體晶片20萬片以上。 　　2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領(lǐng)域11兆韓元、液晶領(lǐng)域5兆韓元、手機顯示領(lǐng)域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
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5月DRAM合約價出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 　　2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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