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三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達成和解

  • 　　韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達9億美金的專利授 權(quán)費用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費的形式支付給對方，其中包括一筆用于購買三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 　　據(jù)Rambus公司高級副總裁Sharon Holt
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廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢

  • 　　全球DRAM市場正加速進行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲，DDR2價格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時，避免產(chǎn)品價格嚴(yán)重背道而馳。 　　近期DRAM市場已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 　　根據(jù)研究機構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

  • 　　據(jù)國外媒體報道，由于計算機內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標(biāo)是，在進行必要投資的同時償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

  • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 　　另一家DRAM大廠
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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

  • 　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當(dāng)時生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進在通往天堂的路上。 　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
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DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

  • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預(yù)期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。 　　臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

  • 　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買家

  • 　　韓國海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東，將對出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度，這部分股票市值最高達35億美元。這些股東計劃在今年上半年挑選出一買家。 　　這些股東包括韓國外換銀行和國有的韓國金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán)，將在1月29日前收到初步購買要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲芯片制造商。 　　韓國金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱，“談到股票規(guī)模,可能僅會出售15%，不過這取決于股東委員會的決議。”該公司是去年末從韓國產(chǎn)業(yè)銀
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硅晶圓需求旺　1Q報價將調(diào)漲5~10%

  • 　　晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊，加上8寸晶圓廠營運也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠交貨不及，產(chǎn)能無法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報價將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲器晶圓廠也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能，第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 　　繼大陸太陽能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后，晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價，目前2010年第1季漲價幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
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DDR3將成為2010年主流 廠商以先進制程跟進

  • 　　DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴產(chǎn)應(yīng)對。其中臺塑集團的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。 　　南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長逾45%。南科預(yù)計，在第二季度時，旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 　　看好DDR3將成為2010年主流，南科計劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
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重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

  • 　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同，有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
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爾必達40納米制程正式對戰(zhàn)美光

  • 　　一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預(yù)期，確定2010年可一舉進入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺動輒逾新臺幣
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格

  • 　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 　　韓國快閃記
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