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Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財(cái)報(bào)預(yù)期顯示，本季度有望實(shí)現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 　　三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預(yù)期，分析師對(duì)其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 　　投行Macquarie Group對(duì)三星股票評(píng)級(jí)為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標(biāo)股價(jià)由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報(bào)告中稱，因三星上半年收益強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)其股價(jià)將持續(xù)上漲。周一，三星股價(jià)在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  內(nèi)存芯片  

宣明智：DRAM年年都要過冬　該做的就做

  • 　　盡管上周南亞科及華亞科法說會(huì)時(shí)，公司對(duì)于DRAM市場多抱持樂觀看法，不過臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺(tái)灣寬頻通訊展時(shí)卻表達(dá)保守看法，認(rèn)為DRAM年年都要過冬，對(duì)DRAM景氣沒有那么樂觀，針對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時(shí)機(jī)已過，他則表示，該做的就做。 　　對(duì)于近期DRAM價(jià)格回穩(wěn)，宣明智認(rèn)為價(jià)錢回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目競爭情況下，DRAM價(jià)格殺到低于變動(dòng)成本，目前DRAM市場價(jià)位回升，也頗為合理，宣明智表示，希望能大家都?jí)蜃プC(jī)會(huì)，掌握未來競爭條件，這樣才能讓整
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TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金

  • 　　力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟(jì)部"很難直接拒絕TFC計(jì)劃，尤其是現(xiàn)在臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(dá)(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺(tái)灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時(shí)拿出TFC計(jì)劃，就算不能獲得政府補(bǔ)助，也達(dá)到破壞TIMC的目的，臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強(qiáng)勁復(fù)蘇

  • 　　市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價(jià)格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復(fù)蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 　　據(jù)國外媒體報(bào)道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計(jì)數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實(shí)在復(fù)蘇中，價(jià)格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個(gè)跡象。 　　iSuppli表示，過去兩個(gè)季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價(jià)格上揚(yáng) 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強(qiáng)勁，并指出合約價(jià)格可能在11月進(jìn)一步揚(yáng)升，12月時(shí)趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會(huì)議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

  • 　　研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價(jià)格連續(xù)增長的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長34%;全球DRAM平均售價(jià)上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 　　iSuppli表示，就全年銷售額來看，全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 　　2007年全球DRA
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內(nèi)存市場價(jià)量普漲，存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個(gè)月來，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
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北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)

  • 　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點(diǎn)和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)過程的控制。 　　Jagdish Narayan認(rèn)為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價(jià)格并不比
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時(shí)將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計(jì)2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計(jì)將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運(yùn)表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對(duì)于先
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  50納米  DDR3  68納米  

南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價(jià)格開始反彈，南亞科和華亞科財(cái)報(bào)虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長，更看好PC市場因?yàn)閂ista因素，累計(jì)整整3年未換機(jī)的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時(shí)1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價(jià)從8月開始，每個(gè)月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價(jià)可持續(xù)成長近2個(gè)月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  DDR3  

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯(cuò)良機(jī)？ 要求“經(jīng)濟(jì)部”退場聲浪大

  • 　　10月20日是臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟(jì)委員會(huì)關(guān)切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求，在政府國發(fā)基金還未投資之前，“經(jīng)濟(jì)部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應(yīng)趕快煞車，或「下車」、「了斷」。 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽(yù)董事長宣明智主導(dǎo)的臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)，以整合爾必達(dá)(Elpida)、茂德的營運(yùn)計(jì)畫書送至“經(jīng)濟(jì)部”，外傳整合華邦電失利的南
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明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求？ 需求增加然擴(kuò)產(chǎn)無門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個(gè)月前說出，肯定會(huì)笑掉人家大牙，不過面對(duì)2009年第4季臺(tái)系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設(shè)備供應(yīng)商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復(fù)，而臺(tái)積電又包下不少新增機(jī)臺(tái)訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預(yù)期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會(huì)吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預(yù)期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺(tái)
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  晶圓代工  DRAM  IC設(shè)計(jì)  

華邦電退出　臺(tái)塑集團(tuán)DRAM整合計(jì)劃書難產(chǎn)

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅(jiān)持一定要送件，以爭取與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)同等待遇的補(bǔ)助款，19日改口考慮不一定會(huì)送件;業(yè)者透露，原本臺(tái)塑在計(jì)劃書中提議要整合的對(duì)象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺(tái)塑內(nèi)部相當(dāng)頭痛，于是提出腹案，考慮不提計(jì)劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟(jì)部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請(qǐng)計(jì)劃，外界相當(dāng)期待臺(tái)塑集團(tuán)加入申請(qǐng)補(bǔ)助行列，隨著最后申請(qǐng)截
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  晶圓  
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