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瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲器產(chǎn)品

  • 　　瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。 　　與公司原有288Mb 低時延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是其存儲容量提升至原有產(chǎn)品的2倍，實現(xiàn)了大容量化。此
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爾必達(dá)擬漲DRAM價格

  • 　　日本經(jīng)濟(jì)新聞報導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價，據(jù)國內(nèi)外PC業(yè)者的說法，其要求的漲幅約10%。 　　
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晶體管PC參數(shù)測量儀DIY詳解

  • 趁長假期間，用洞洞板作了一個PC機(jī)晶體管圖示參數(shù)測試儀。用了一天半的時間，搭測試電路和PC機(jī)聯(lián)調(diào)程序測試DAC ...
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DRAM風(fēng)雨飄搖之后的希望

  • 　　據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計2011年DRAM平均銷售價格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會。 　
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2011年DRAM市場將失去勢頭

  • 　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計2011年DRAM平均銷售價格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會。 　　2011年全球DRAM銷售額預(yù)計下降至355億美元，比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度，與2010年形成鮮明對比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖2所示，2011年以后的幾年，DRAM銷售額的波動也較大，在ASP持續(xù)下滑的情況下，銷售額趨于下降。 　　DRAM是游戲機(jī)和臺式電腦及筆
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基于PC+PLC等離子熔射自動控制系統(tǒng)設(shè)計

  • 　1 引言　　等離子熔射由于其溫度高且能量集中，能夠熔射金屬、陶瓷或復(fù)合材料的特點(diǎn)在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應(yīng)用[1-2]。為了保證熔射皮膜成形性與成形質(zhì)量，必須在數(shù)字圖像處理、過程控制、
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臺DRAM廠拼制程搶救獲利無效

  • 　　DDR3報價從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70%，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺DRAM廠財務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，存儲器業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價和現(xiàn)貨價還有下跌空間，即便臺廠現(xiàn)在就采用40納米制程生產(chǎn)，亦只能勉強(qiáng)微幅賺錢，更何況臺廠目前制程幾乎都在50及60納米世代，因此，臺DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續(xù)擴(kuò)大，2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。 　　
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2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉(zhuǎn)換之故，沒有掌握到年初報價上漲的機(jī)會，年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米，但報價已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。 　　
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瑞晶宣布暫停出貨給力晶

  • 　　瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價格不佳，在財務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對保障瑞晶債權(quán)的方案。 　　
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臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價

  • 　　臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強(qiáng)勢升值，采取匯市收盤價力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價失真的爭議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺灣和韓國在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示，若新臺幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區(qū)居下風(fēng)，不過臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競爭力因素之一，但絕不是影響臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)競爭力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價。 　　
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海力士DRAM制程升級到30納米級

  • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。 　
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海力士2011年計劃投資26億美元

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經(jīng)濟(jì)日報(Seoul Economic Daily)的報導(dǎo)。 　　彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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臺日DRAM是否會產(chǎn)業(yè)整合？

  • 　　DRAM報價面臨二次崩盤危機(jī)，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié)，若能整并成功，“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
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12月份DRAM價格繼續(xù)大幅下滑

  • 　　據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經(jīng)過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內(nèi)最低水平。 　　12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠(yuǎn)低于6月時的38.80美元。 　　圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。 　　與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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下季DRAM和NAND Flash報價看跌

  • 　　美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  
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