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內(nèi)存/SSD齊漲價:三星Q4利潤預(yù)計暴漲77%
- DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片持續(xù)供不應(yīng)求,而作為全球頭號供應(yīng)商的三星電子這一段時間以來賺得盆滿缽滿,而且形勢越來越好,至少對三星是如此。 繼三季度利潤暴漲創(chuàng)紀錄后,韓國金融信息機構(gòu)FnGuide的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示,受芯片業(yè)務(wù)強勁表現(xiàn)的驅(qū)動,三星電子2017年第四季度的利潤有望再次創(chuàng)下新高。 市場普遍預(yù)計,三星電子第四季度的營業(yè)利潤將達到16.3萬億韓元(約合人民幣980億元),同比增長77.2%,相比第三季度的14.5萬億韓元也將增長12.4%。 韓國投資銀行甚至預(yù)計的最高數(shù)字甚至達到
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硬盤基礎(chǔ)知識之SSD硬盤
- 隨著科技的進步,時代的發(fā)展,計算機硬件的發(fā)展速度也是極其迅猛。CPU主頻的不斷提升,從單核到雙核,再到多核;內(nèi)存同樣也是蓬勃到發(fā)展,從SDRAM到DDR,從DDR到DDR2再到DDR3;硬盤的發(fā)展也是在不斷的科技進步中快速提升,從容量以及速度再到接口方面。從早期的PATA變成SATA,SCSI變到SAS,以及垂直記錄技術(shù)在容量上的突破,但這些進步亦未能改變磁盤的記錄方式。 隨著人們對數(shù)據(jù)需求增多,存儲系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動設(shè)備和工業(yè)自動化控制等惡劣環(huán)境下,傳統(tǒng)硬盤機械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿
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潘健成:明年3D NAND進入96層 群聯(lián)準備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長潘健成指出,2018年底將進入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了,呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,
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