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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ram-x24c45器件

采用段式管理的大容量外部RAM擴(kuò)展技術(shù)

  • MCS96系列單片機(jī)是一種16位字長，比MCS51系列單片機(jī)功能更全、性能更高的單片機(jī)，在儀器儀表、過程控制等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。在采用MCS96系列單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)中，我們碰到一個難題：當(dāng)需要大容量的數(shù)據(jù)存儲時，數(shù)據(jù)存
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常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測試方法

  • 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對
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基于FPGA的雙口RAM實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用

  • 基于FPGA的雙口RAM實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用,摘要：為了在高速采集時不丟失數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和CPU之間設(shè)置一個數(shù)據(jù)暫存區(qū)。介紹雙口RAM的存儲原理及其在數(shù)字系統(tǒng)中的應(yīng)用。采用FPGA技術(shù)構(gòu)造雙口RAM，實(shí)現(xiàn)高速信號采集系統(tǒng)中的海量數(shù)據(jù)存儲和時鐘匹配。功能仿
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基于雙RAM技術(shù)的矩形LED顯示屏的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 引言長條的LED顯示屏在生活中應(yīng)用得很多，這種顯示屏的控制電路簡單，掃描線有限，顯示信息量也不是很大。當(dāng)顯示信息量比較大時，若采用一般的長屏顯示屏，顯示信息過慢，即使采用超長屏的顯示屏，其數(shù)據(jù)輸出速率也很
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雙端口RAM原理介紹及其應(yīng)用

  • 雙端口RAM原理介紹及其應(yīng)用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨(dú)立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設(shè)計(jì)方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設(shè)計(jì)以及雷達(dá)仿真平臺中的應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞：微處理器 雙端口RAM IDT7132/7142

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單片機(jī)系統(tǒng)中RAM的測試方法研究

  • 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性 ...
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韓國研究人員開發(fā)柔性化可折疊RAM

  • 自從OLED顯示技術(shù)面世以來，可彎曲折疊的“顯示器”并不算少見，不過可以卷曲的RAM你見過么?近日，韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)的研究人員制造出了柔性、非揮發(fā)(斷電不丟數(shù)據(jù))的RRAM(阻抗式內(nèi)存)。研究結(jié)果發(fā)表在10月末的美國化學(xué)會期刊《納米通訊》上。
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雙口RAM在PCI總線與AVR接口設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

  • 摘要：為了提高PCI總線與AVR單片機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸速度，利用雙口RAM通過共享的方式實(shí)現(xiàn)PCI總線與AVR單片機(jī)之間的高速數(shù)據(jù)交換。利用有限狀態(tài)機(jī)方法將PCI接口芯片局部端邏輯轉(zhuǎn)換為雙口RAM讀寫控制信號和地址數(shù)據(jù)信號，
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RAM讀寫時序限制解決方案

  • RAM讀寫時序限制解決方案,本文為了提高AVS解碼器的處理速度，綜合了國內(nèi)外學(xué)者的設(shè)計(jì)思想提出了一種逆掃描、反量化與反變換模塊結(jié)構(gòu)，在消耗邏輯資源允許的情況下提高了處理速度，做到速度和面積的平衡?！　”疚膶⒛鎾呙琛⒎戳炕头醋儞Q模塊
  • 關(guān)鍵字： 解決方案  限制  時序  讀寫  RAM  

靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖

  • 圖2．2 （1）靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)組成原理圖如圖2．2（1）所示，存儲體是一個由64×64=4096個六管靜態(tài)存 ...
  • 關(guān)鍵字： 靜態(tài)  RAM  原理圖  

法拉電容在RAM數(shù)據(jù)保護(hù)中的應(yīng)用

  • 法拉電容也叫超級電容器，雙電層電容，其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環(huán)境污染等優(yōu)勢[2]。在數(shù)據(jù)保護(hù)電路中采用法拉電容取代
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  保護(hù)  數(shù)據(jù)  RAM  電容  

基于雙口RAM的LonWorks智能通信節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)

  • 摘要：介紹一種基于雙口RAM的LonWorks現(xiàn)場總線智能通信節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法，并給出詳細(xì)的設(shè)計(jì)步驟、硬件及軟件實(shí)現(xiàn)。通過此LonWorks智能通信節(jié)點(diǎn)，能夠完成RS-232-C/RS-485標(biāo)準(zhǔn)與LonTalk協(xié)議間的轉(zhuǎn)換提供RS-232-C/RS-485
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Ramtron出貨首批使用新IBM制造的F－RAM樣片

  • 　　Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗(yàn)證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay?)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
  • 關(guān)鍵字： Ramtron  F-RAM  

華邦把部分移動RAM芯片產(chǎn)品交由力晶代工

  • 　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，存儲芯片廠商華邦電子公司日前決定將部分高端移動設(shè)備用RAM芯片產(chǎn)品交由其伙伴公司力晶代工，華邦目前正在努力提高此類產(chǎn)品的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年年底前華邦外包給力晶生產(chǎn)的移動RAM芯片產(chǎn)品將可開始供貨。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華邦  RAM  

4Gb手機(jī)RAM芯片出貨

  • 　　從3月23日開始，三星出貨4Gb容量的LPDDR2 RAM，該芯片為30納米制程，采用該芯片的設(shè)備主要為手機(jī)和平板電腦，有望帶來手機(jī)和平板運(yùn)行速度上的提升。 　　　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  RAM  
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ram-x24c45器件介紹

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