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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ram-x24c45器件

雙RAM技術(shù)的LED顯示屏控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 針對(duì)顯示信息在垂直循環(huán)顯示時(shí)存儲(chǔ)器的使用效率低、存儲(chǔ)器占用量大等問(wèn)題，基于雙RAM思想，用靜態(tài)顯示數(shù)據(jù)組織方式來(lái)組織動(dòng)態(tài)顯示數(shù)據(jù)，達(dá)到降低存儲(chǔ)器占用率的目的。將組織好的數(shù)據(jù)按奇偶規(guī)則存放在一塊帶有SPI接口的串行Flash中，并使用高速單片機(jī)VRS51L3 074控制數(shù)據(jù)輸出顯示。
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多光譜可見(jiàn)光遙感圖像壓縮系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)多光譜可見(jiàn)光遙感圖像高質(zhì)量壓縮的要求，提出以JPEG2000壓縮標(biāo)準(zhǔn)為理論，將FPGA與專用壓縮芯片ADV212相結(jié) 合的空間遙感圖像壓縮方法。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用ADV212，通過(guò)小波變換及熵編碼實(shí)現(xiàn)對(duì)大數(shù)據(jù)量的空間
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Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件

  • 　　世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計(jì)商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評(píng)測(cè)第三代數(shù)據(jù)豐富自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器評(píng)測(cè)套件在德國(guó)慕尼黑electronica 2010展會(huì)上首次展出。 　　
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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

  • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 (pre-paid) 復(fù)費(fèi)率電能
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幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法

  • 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對(duì)
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存儲(chǔ)器大廠重兵部署Mobile RAM　明年激戰(zhàn)難免

  • 　　高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng)，全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠持續(xù)將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺(tái)系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時(shí)間點(diǎn)較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認(rèn)證，預(yù)計(jì)2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達(dá)授權(quán)下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營(yíng)運(yùn)
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存儲(chǔ)器大廠重兵部署Mobile RAM 臺(tái)廠加入戰(zhàn)局 明年激戰(zhàn)難免

  • 　　高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng)，全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠持續(xù)將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺(tái)系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時(shí)間點(diǎn)較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認(rèn)證，預(yù)計(jì)2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達(dá)授權(quán)下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營(yíng)運(yùn)
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雙口RAM芯片CY7C028的INS/GPS組合導(dǎo)航系統(tǒng)

  • 　　在眾多組合導(dǎo)般系統(tǒng)中，INS/GPS組合導(dǎo)航系統(tǒng)更是發(fā)展迅速，在軍用和民用領(lǐng)域均已獲得廣泛應(yīng)用，而且愈來(lái)愈受到重視。就INS/GPS組合導(dǎo)航系統(tǒng)而言，除了要完成大量的導(dǎo)航解算工作外，還要完成控制、人機(jī)接口、與外
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使用用CPLD和Flash實(shí)現(xiàn)FPGA的配置

  • 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計(jì)算機(jī)為工作平臺(tái)，以EDA軟件為開(kāi)發(fā)環(huán)境，以硬件描...
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基于FPGA的雙口RAM與PCI9O52接口設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了解決PCI9052和雙口RAM之間讀寫(xiě)時(shí)序不匹配的問(wèn)題，本設(shè)計(jì)采用可編程器件來(lái)實(shí)現(xiàn)它們之間的接口電路。此電路可以使系統(tǒng)更加緊湊。核心邏輯部分采用有限狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)，使控制邏輯直觀簡(jiǎn)單，提高了設(shè)計(jì)效率。
    通
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雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用

  • 雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨(dú)立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫(xiě)控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設(shè)計(jì)方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時(shí)序、競(jìng)爭(zhēng)和并行通訊接口設(shè)計(jì)以
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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)之比較

  • 　　引言 　　高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。 　　若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇，是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。
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在MAXQ8913微控制器中從RAM執(zhí)行應(yīng)用程序

  • MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲(chǔ)器映射架構(gòu)為用戶提供了極大的靈活性，可根據(jù)需要將不同的物理內(nèi)存(例如數(shù)據(jù)SRAM)映射為程序或數(shù)據(jù)內(nèi)存空間。在特定環(huán)境下，從數(shù)據(jù)SRAM執(zhí)行一個(gè)程序的部分代碼能夠
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

    對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
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手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  NOR  RAM  
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