- 針對顯示信息在垂直循環(huán)顯示時存儲器的使用效率低、存儲器占用量大等問題，基于雙RAM思想，用靜態(tài)顯示數據組織方式來組織動態(tài)顯示數據，達到降低存儲器占用率的目的。將組織好的數據按奇偶規(guī)則存放在一塊帶有SPI接口的串行Flash中，并使用高速單片機VRS51L3 074控制數據輸出顯示。
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控制系統 設計 顯示屏 LED 技術 RAM
- 摘要：為了實現多光譜可見光遙感圖像高質量壓縮的要求，提出以JPEG2000壓縮標準為理論，將FPGA與專用壓縮芯片ADV212相結 合的空間遙感圖像壓縮方法。該系統設計采用ADV212，通過小波變換及熵編碼實現對大數據量的空間
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RAM FPGA AD
- 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領先的高性能模擬IC設計商與生產商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數據豐富自動識別應用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。
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Ramtron F-RAM RFID
- 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM), 自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
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存儲器 F-RAM 使用 需要 電子 電能表 為何
- 在各種單片機應用系統中，存儲器的正常與否直接關系到該系統的正常工作。為了提高系統的可靠性，對系統的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現并解決因存儲器發(fā)生故障對系統帶來的破壞問題。本文針對
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RAM 單片機系統 測試方法
- 高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續(xù)將產能移往Mobile RAM產品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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三星電子 存儲器 RAM
- 高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續(xù)將產能移往Mobile RAM產品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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三星電子 RAM 智能手機
- 在眾多組合導般系統中，INS/GPS組合導航系統更是發(fā)展迅速，在軍用和民用領域均已獲得廣泛應用，而且愈來愈受到重視。就INS/GPS組合導航系統而言，除了要完成大量的導航解算工作外，還要完成控制、人機接口、與外
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組合 導航 系統 INS/GPS CY7C028 RAM 芯片 雙口
- 摘要：為了解決PCI9052和雙口RAM之間讀寫時序不匹配的問題，本設計采用可編程器件來實現它們之間的接口電路。此電路可以使系統更加緊湊。核心邏輯部分采用有限狀態(tài)機實現，使控制邏輯直觀簡單，提高了設計效率。
通
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FPGA PCI9 RAM PCI
- 雙端口RAM的并口設計應用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數據、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設計以
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應用 設計 并口 RAM 雙端口
- 引言
高性能和環(huán)保是當前技術創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。
若系統設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
- 關鍵字：
Ramtron F-RAM BBSRAM
- MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲器映射架構為用戶提供了極大的靈活性，可根據需要將不同的物理內存(例如數據SRAM)映射為程序或數據內存空間。在特定環(huán)境下，從數據SRAM執(zhí)行一個程序的部分代碼能夠
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MAXQ 8913 RAM 微控制器
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言
對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用，FPGA 需要提供可重構且可串聯的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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RAM 重構 模塊 設計 方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝
- 市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
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