si-cmos 文章進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)

常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)功能和原理

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)控電阻電阻電位器

ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器

ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
關(guān)鍵字： CMOS ROHM 比較器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器模擬IC 電源

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

CISCO_服務(wù)器設(shè)計(jì)中的EMI和SI問(wèn)題

　　統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和布線　　(以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損)　　時(shí)鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù)，在驅(qū)動(dòng)器端的時(shí)鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω，然后每條線扇出成一對(duì)線，每條的Z0基本加倍，使信號(hào)反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問(wèn)題是通過(guò)仿真解決，并將走線布到同一層上，管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過(guò)測(cè)試驗(yàn)證過(guò)的。　　　　優(yōu)化電源層結(jié)構(gòu)，防止電源的電磁輻射影響信號(hào)層　　(減小耦合噪聲，△I噪聲，模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise)　　在開(kāi)始
關(guān)鍵字： CISCO EMI SI 服務(wù)器

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過(guò)5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

AM OLED：OLED的“明日之星”

摘要：本文對(duì)近期平板顯示市場(chǎng)的一些變化,如液晶的大幅降價(jià)對(duì)PMOLED（被動(dòng)式OLED)的沖擊，AMOLED（主動(dòng)式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢(shì)進(jìn)行了概括分析。關(guān)鍵詞： AM OLED；TFT；LTPS；a-Si 目前OLED市場(chǎng)上占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的PM OLED，因局限于中小尺寸顯示屏市場(chǎng)，并且在技術(shù)與價(jià)格上與LCD相比優(yōu)勢(shì)不明顯，受LCD降價(jià)沖擊很大，未來(lái)并不被業(yè)界看好。相反，AM OLED技術(shù)卻在市場(chǎng)一片叫好聲中，日漸成熟，蓄勢(shì)待發(fā)。三星SDI預(yù)計(jì)在2007年進(jìn)入市場(chǎng)，開(kāi)始大規(guī)
關(guān)鍵字： 0612_A AM a-Si LTPS OLED TFT 消費(fèi)電子雜志_關(guān)注焦點(diǎn) 有機(jī)發(fā)光二極管 OLED 消費(fèi)電子

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對(duì)器件自身介紹較多，而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無(wú)線家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線連接應(yīng)用要求，提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制