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新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

　　日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請(qǐng)專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

　　ROHM新聞發(fā)布會(huì)上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。　　ROHM的德國(guó)發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國(guó)的高度重視，從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

該電路采用衰減場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)分流信號(hào)到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(jí)(衰減等級(jí)),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號(hào)來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號(hào)電壓會(huì)(你可以用DAC采用對(duì)稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求，這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
關(guān)鍵字：單片機(jī) FET 穿通電流工作頻率

GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運(yùn)算力不斷增強(qiáng)，使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

　　導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體　　硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。　　　　根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。　　半導(dǎo)體的電流流通原理　　(1) N型半導(dǎo)體　　圖1是在硅晶
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Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù)，開發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動(dòng)汽車充電器

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。　　作為市場(chǎng)首款內(nèi)置電子變壓器的電動(dòng)汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能，讓Zaptec工程師得以設(shè)
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