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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書(shū)完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://m.butianyuan.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://m.butianyuan.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設(shè)計(jì)

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車(chē)電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國(guó)能源汽車(chē)已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(zhǎng)24%據(jù)賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)顯示，我國(guó)新能源汽車(chē)的新車(chē)全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國(guó)從汽車(chē)大國(guó)邁向汽車(chē)強(qiáng)國(guó)的步伐更加堅(jiān)實(shí)。據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬(wàn)輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷(xiāo)總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)首次突破1000萬(wàn)輛，分別達(dá)到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)34.4％和35.5
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格力：SiC工廠(chǎng)整套環(huán)境設(shè)備均為自主制造

自央視頻官方獲悉，格力電器董事長(zhǎng)董明珠在紀(jì)錄片中，再次回應(yīng)外界對(duì)格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設(shè)的芯片工廠(chǎng)，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險(xiǎn)，是作為中國(guó)制造企業(yè)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠(chǎng)，整個(gè)芯片的制造過(guò)程是自己完成的。而在芯片工廠(chǎng)制造的過(guò)程中，格力解決了一個(gè)最大的問(wèn)題?！皞鹘y(tǒng)的芯片工廠(chǎng)用的環(huán)境設(shè)備都是進(jìn)口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強(qiáng)項(xiàng)。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設(shè)備，要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
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從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開(kāi)始向客戶(hù)提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車(chē)等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠(chǎng)區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)

DC總線(xiàn)電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)連接開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類(lèi)型，熱包裝，設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，并為高壓，高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過(guò)度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性?！　拵О雽?dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢(shì)需要仔細(xì)考慮以選擇的半導(dǎo)體材料以實(shí)現(xiàn)具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線(xiàn)電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類(lèi)型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過(guò)流保護(hù)限值的重要性。寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在選擇最佳半導(dǎo)體材料時(shí)，應(yīng)考慮多項(xiàng)特性。目標(biāo)是打造兼具最
關(guān)鍵字： SiC 高電壓電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開(kāi)關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開(kāi)關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對(duì)他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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安森美將收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這
關(guān)鍵字：安森美碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源

安森美收購(gòu)Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿(mǎn)足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
關(guān)鍵字：安森美收購(gòu) Qorvo SiC JFET

碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開(kāi)關(guān)速度。由于SiC在市場(chǎng)上相對(duì)較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對(duì)從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會(huì)帶來(lái)風(fēng)
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光伏逆變器市場(chǎng)狂飆，全SiC模組會(huì)成為主流嗎？

隨著清潔能源的快速增長(zhǎng)，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽(yáng)能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級(jí)賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開(kāi)功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢(shì)，均在市場(chǎng)上有廣泛應(yīng)用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來(lái)越多的廠(chǎng)家采用。未來(lái)10年，光伏逆變器市場(chǎng)狂飆目前，風(fēng)能和太陽(yáng)能的總發(fā)電量已經(jīng)超過(guò)了水力發(fā)電。預(yù)計(jì)到2028年，清潔能源的比重將達(dá)到42%。中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，已成為全球清潔能源增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。光伏逆變器承載著將太陽(yáng)能光伏組件產(chǎn)
關(guān)鍵字：功率模塊 SiC 逆變器