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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

回首2023年，盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中，汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車市場(chǎng)，競(jìng)爭(zhēng)壓力加大，汽車制造商需要不斷提
關(guān)鍵字：智能電源智能感知汽車領(lǐng)域 SiC

2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào)：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開(kāi)關(guān)損
關(guān)鍵字： MOSFET CoolSiC Infineon

帶隙對(duì)決：GaN和SiC，哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)？

電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
關(guān)鍵字： GaN SiC

談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒(méi) 有標(biāo) 出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)
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意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場(chǎng)需求

回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵(lì)）。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計(jì)，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款，預(yù)計(jì)明年部分
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC

臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞?。ˋachen）等地布局了多家子
關(guān)鍵字：功率模塊碳化硅 SiC

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車

用于模擬IC設(shè)計(jì)的小信號(hào)MOSFET模型

MOSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)中起著重要作用。在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何對(duì)MOSFET的小信號(hào)行為進(jìn)行建模。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴忉尩哪菢樱琈OSFET對(duì)于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號(hào)行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號(hào)放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號(hào)行為。什么是小信號(hào)分析？當(dāng)我們說(shuō)“小信號(hào)”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。圖
關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC

SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
關(guān)鍵字： SiC 晶圓

利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

摘要在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù)，此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開(kāi)系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。簡(jiǎn)介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測(cè)故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
關(guān)鍵字： MOSFET 系統(tǒng)電源循環(huán) ADI

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器工業(yè)電力轉(zhuǎn)換氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 SiC

安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%，在第二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(zhǎng) 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點(diǎn)聚焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
關(guān)鍵字：安森美第三代半導(dǎo)體碳化硅 SiC

SiC 長(zhǎng)期供貨，理想簽協(xié)議

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
關(guān)鍵字： SiC

如何增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請(qǐng)您收下！

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對(duì)許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō)，壓降不是問(wèn)題，但在高電流應(yīng)用中，各個(gè)壓降會(huì)產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開(kāi)關(guān)（通常為MOSFET）來(lái)模擬二極管的單向
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管功率開(kāi)關(guān)

SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能！

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級(jí)結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
關(guān)鍵字：功率器件 Spice模型 SiC 仿真