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英飛凌高壓超結MOSFET系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

  • 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計，同時以低成本實現(xiàn)高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
  • 關鍵字： 英飛凌  高壓超結  MOSFET  

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
  • 關鍵字： ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導體，車規(guī)功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  GaN  模擬芯片  

英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過
  • 關鍵字： 英飛凌  賽米控  電動汽車芯片  SiC  IGBT  

羅姆買新廠 搶SiC產能

  • 全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據統(tǒng)計，全球SiC產能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產能，并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  

SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

  • 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業(yè)鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
  • 關鍵字： SiC Traction模塊  安森美  202311  

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品

  • 功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  

安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構

  • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  車載充電器  

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構

  • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
  • 關鍵字： 安森美  onsemi  MOSFET  車載充電器  800V電池架構  

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

  • SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
  • 關鍵字： 安森美  SiC  MOSFET  隔離柵極驅動器  

國內8英寸SiC傳來新進展

  • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產品的小規(guī)模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
  • 關鍵字： 8英寸  SiC  科友半導體  

使用SiC的關鍵在于了解事實

  • 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注，但同時也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產生的一些疑慮與其應用范圍相關。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質因數(shù)很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
  • 關鍵字： 202306  SiC  

Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列

  • 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。  長期以來，品質因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數(shù)導致產生了意外后果
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

  • SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發(fā)合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
  • 關鍵字： 羅姆  緯湃  SiC  
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