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宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

  • 汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn),車(chē)載充電器(OBC)與DCDC轉(zhuǎn)換器(HV-LV DCDC)的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展,同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù),以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅(Super Junction Si)技術(shù)以及碳化硅(SiC)技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí),對(duì)于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō),可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車(chē)載OBC/DCDC應(yīng)用中,高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來(lái)越多。對(duì)于汽車(chē)級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及,但事實(shí)是無(wú)論
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全網(wǎng)最全的半導(dǎo)體封裝技術(shù)解析

  • 半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)、測(cè)試(Test)以及后期的成品(Finish Goods)入庫(kù)所組成。半導(dǎo)體器件制作工藝分為前道和后道工序,晶圓制造和測(cè)試被稱(chēng)為前道(Front End)工序,而芯片的封裝、測(cè)試及成品入庫(kù)則被稱(chēng)為后道(Back End)工序,前道和后道一般在不同的工廠分開(kāi)處理。前道工序是從整塊硅圓片入手經(jīng)多次重復(fù)的制膜、氧化、擴(kuò)散,包括照相制版和光刻等工序,制成三極管、
  • 關(guān)鍵字: 芯片封裝  半導(dǎo)體封裝  先進(jìn)封裝  BGA  WLP  SiP  技術(shù)解析  

微小化技術(shù)需求日漲 環(huán)旭電子以SiP創(chuàng)新技術(shù)持續(xù)發(fā)力可穿戴領(lǐng)域

  • 今年,環(huán)旭電子進(jìn)入智能穿戴模組領(lǐng)域的第九年,并在先進(jìn)封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)方面又登上新臺(tái)階。雙面塑封和薄膜塑封是環(huán)旭電子最新開(kāi)發(fā)的技術(shù),雙面塑封實(shí)現(xiàn)了模組的最優(yōu)化設(shè)計(jì)。薄膜塑封技術(shù)的引入,實(shí)現(xiàn)了信號(hào)連接導(dǎo)出區(qū)域的最小化設(shè)計(jì),同時(shí)可以和其他塑封區(qū)域同時(shí)在基板的同一側(cè)實(shí)現(xiàn)同時(shí)作業(yè)。一直以來(lái),手機(jī)是推動(dòng)微小化技術(shù)的主要?jiǎng)恿?,如今微小化技術(shù)正在多項(xiàng)領(lǐng)域體現(xiàn)其優(yōu)勢(shì),其中智能穿戴領(lǐng)域?qū)ξ⑿』夹g(shù)的需求越來(lái)越高。系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)是為智能手表、藍(lán)牙耳機(jī)等新型智能穿戴電子產(chǎn)品提供高度集成化和微小化設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。環(huán)旭電子不斷加強(qiáng)研發(fā)
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Pickering Electronics 推出新款耐高壓 SIL/SIP 舌簧繼電器 線圈電阻更高,功耗更低

  • 英國(guó)Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧繼電器方面的領(lǐng)導(dǎo)廠商,擁有超過(guò)50年經(jīng)驗(yàn)。近日它宣布推出 100HV 系列耐高壓?jiǎn)瘟兄辈?SIL/SIP 舌簧繼電器,提供最高3kV的額定截止電壓,且線圈電阻是之前產(chǎn)品的兩倍以上。高系列繼電器適合應(yīng)用于變壓器、電纜測(cè)試,或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備。  Pickering Electronics公司的技術(shù)專(zhuān)家 Kevin Mallett 對(duì)新產(chǎn)品作了說(shuō)明:“100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應(yīng)
  • 關(guān)鍵字: Pickering Electronic  SIL/SIP  舌簧繼電器  

清潔安全的汽車(chē)將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

  • 未來(lái)的汽車(chē)將是清潔和安全的汽車(chē),由先進(jìn)的汽車(chē)功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車(chē)戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)車(chē)可幫助實(shí)現(xiàn)零排放,其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的,隨著電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(zhǎng),必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過(guò)350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn),緊湊
  • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  汽車(chē)  OBC  

面向新基建的GaN技術(shù)

  • 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域,并對(duì)半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述:TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的各類(lèi)應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今,我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車(chē)
  • 關(guān)鍵字: OBC  GaN  202009  

InnoSwitch3-AQ已通過(guò)Q100認(rèn)證;可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),這是一款已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的反激式開(kāi)關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級(jí)側(cè)檢測(cè)功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車(chē)載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關(guān)鍵字: OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

易靈思 宣布推出 Trion Titanium FPGA 系列

  • 可編程產(chǎn)品平臺(tái)和技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)易靈思?? 近日宣布推出其 Trion? Titanium FPGA 系列。Trion Titanium FPGA 是基于16納米工藝節(jié)點(diǎn),并采用易靈思的 “Quantum? 計(jì)算架構(gòu)”?!癚uantum 計(jì)算架構(gòu)”是受到了易靈思第一代 Trion FPGA 之基礎(chǔ)“Quantum 架構(gòu)”的啟發(fā),在其可交換邏輯和路由的“隨變單元” (XLR) 中增添了額外的計(jì)算和路由功能。增強(qiáng)的計(jì)算能力,加上利用16納米工藝實(shí)現(xiàn)的 3 倍性能(Fmax)的提升,使得 Trion Ti
  • 關(guān)鍵字: XLR  AI  FPGA  IoT  SIP  

ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車(chē)載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí),如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品,通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3,改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系,與以往產(chǎn)品相比,在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
  • 關(guān)鍵字: EV  OBC  MOSFET  

Bosch Sensortec與高通(Qualcomm)合作提供創(chuàng)新軟件解決方案

  • Bosch Sensortec一直以來(lái)通過(guò)高通平臺(tái)解決方案生態(tài)系統(tǒng)(Qualcomm? Platform Solutions Ecosystem)計(jì)劃與高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)合作開(kāi)發(fā)創(chuàng)新傳感器軟件解決方案。根據(jù)雙方的合作協(xié)議,Bosch Sensortec可在高通傳感器執(zhí)行環(huán)境(Qualcomm? Sensor Execution Environment)中開(kāi)發(fā)基于MEMS傳感解決方案的軟件,從而為智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備提供先進(jìn)的功能。首批開(kāi)發(fā)成果包括應(yīng)用Bo
  • 關(guān)鍵字: 合作  開(kāi)發(fā)  SiP  BSEC  

德州儀器多合一動(dòng)力總成系統(tǒng)解決方案,助力新能源汽車(chē)快速實(shí)現(xiàn)輕量、高效、降本

  • 當(dāng)汽車(chē)應(yīng)用程序可以用更少的零件完成更多的工作時(shí),就可以在減少重量和成本的同時(shí)提高可靠性,這就是將?電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合電動(dòng)汽車(chē)(HEV)?設(shè)計(jì)與多合一動(dòng)力總成系統(tǒng)相整合的思路。什么是多合一動(dòng)力總成組合架構(gòu)?多合一動(dòng)力總成系統(tǒng)整合了諸如車(chē)載充電器(OBC)、高電壓DC/DC(HV DCDC)、逆變器和配電單元(PDU)等動(dòng)力系統(tǒng)終端器件。如圖1所示,可在機(jī)械、控制或動(dòng)力系統(tǒng)級(jí)別應(yīng)用整合。圖1:電動(dòng)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)概述為什么多合一動(dòng)力總成系統(tǒng)最適合HEV/EV?多合一動(dòng)力總成系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn):●
  • 關(guān)鍵字: OBC  PDU  HEV  EV  

金升陽(yáng)新的DC-DC定壓R4電源:涅槃重生,創(chuàng)“芯”未來(lái)

  • 1 “芯片級(jí)”模塊電源的誕生DC-DC定電壓電源模塊是金升陽(yáng)公司的拳頭產(chǎn)品,在全球有數(shù)十萬(wàn)用戶,可謂世界級(jí)的產(chǎn)品。2020年,金升陽(yáng)歷經(jīng)多年技術(shù)沉淀,推出第四代定壓產(chǎn)品(簡(jiǎn)稱(chēng)“定壓R4”),可謂具有突破性的“芯片級(jí)”的模塊電源(如圖1)。實(shí)際上,金升陽(yáng)的定壓系列產(chǎn)品從R1升級(jí)到R2,再到R3代,每次更迭換代,產(chǎn)品都進(jìn)行了非常多的電路和工藝技術(shù)突破;但是封裝工藝上還是一樣,仍沿用傳統(tǒng)的灌封/塑封工藝,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和外觀沒(méi)有顯著變化。不過(guò),此次推出的新的定壓R4代電源模塊,最大的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)就是在封裝工藝上取得了重
  • 關(guān)鍵字: 202005  DC-DC  金升陽(yáng)  Chiplet SiP  

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”)的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
  • 關(guān)鍵字: OBC  SiC MOSFET  

馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

  • 領(lǐng)先的汽車(chē)供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國(guó)一家專(zhuān)注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過(guò)此協(xié)議,MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)輛領(lǐng)域OBC車(chē)載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù),進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體,并擁有和汽車(chē)行業(yè)(尤其是日本)直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對(duì)正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
  • 關(guān)鍵字: OBC  GaN  

SIP-8封裝內(nèi)DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率密度達(dá)到新標(biāo)桿!

  • 2020年2月24日于格蒙登 - RECOM宣布推出RS12-Z系列,一款采用SIP-8封裝4:1輸入的12W DC/DC轉(zhuǎn)換器。憑借先進(jìn)的變壓器技術(shù),RECOM新推出的RS12-Z系列采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SIP-8封裝的DC/DC轉(zhuǎn)換器,在環(huán)溫75°C和自然風(fēng)冷條件下可以滿載輸出12W的功率,無(wú)須降額。該系列尺寸面積僅2cm2,具有9-36 V或18-75V的4:1輸入,輸入沖擊電壓分別高達(dá)50V和100V,單路穩(wěn)壓輸出3.3、5、12、15或24V,輸出+/-10%可調(diào),并有遠(yuǎn)程開(kāi)關(guān)控制管腳。轉(zhuǎn)換器具有輸出短
  • 關(guān)鍵字: SIP-8封裝  DC/DC轉(zhuǎn)換器  
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