半導體產業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現 STT MRAM 商業(yè)可行性的進展?！ 貌牧瞎緸閷崿F STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng)新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性?！ ∪缃?，除了邏
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STT MRAM
MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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MRAM SRAM
汽車系統(tǒng)的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽俊踩牟僮?，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途?！ ∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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MRAM FRAM
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數據進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試，全空間讀寫數據1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關鍵時序參數，如T
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VDMR8M32 MRAM
全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規(guī)則。
據SemiEngineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
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MRAM 晶圓
全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規(guī)則。
據Semi Engineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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存儲器 MRAM
隨著更多業(yè)者進入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現有主流存儲器技術的未來前景。
或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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MRAM DRAM
MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。MRAM相關制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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DIGITIMES MRAM
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場。臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業(yè)的新潮流，值得密切關注。
臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進行風險性試產，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。
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臺積電 MRAM
被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲器科技中出現較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發(fā)表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。
此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。
三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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28nm MRAM
臺灣磁性技術協(xié)會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業(yè)界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM
磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器技術，正在作為一種主流的數據存儲技術被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個硅基選擇矩陣。MRAM的關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速
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隨機存取 邏輯單元 MRAM
存儲器是當今每一個計算機系統(tǒng)、存儲方案和移動設備都使用的關鍵部件之一。存儲器的性能、可擴展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個系統(tǒng)產品經濟上成功或失敗的主要標準。目前，幾乎所有產品都使用一種或組合使用
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MRAM 存儲器
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