臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭,現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。臺積電這次重返內(nèi)存市場,瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存,因傳輸速度比一般閃存快上萬倍,是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流,值得密切關(guān)注。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201706/360112.htm臺積電技術(shù)長孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進行風(fēng)險性試產(chǎn),主要采用22奈米制程,這將是臺積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
這也是臺積電共同執(zhí)行長魏哲家向法人表達(dá)不會跨足標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存,不會角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后,臺積電再次說明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局,將瞄準(zhǔn)效能比一般DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)的MRAM和RRAM。
稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠,產(chǎn)品技術(shù)時程大幅領(lǐng)先臺積電,三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。
據(jù)了解,臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā),多年來因難度高,商業(yè)化和競爭力遠(yuǎn)不如DRAM,導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)。
內(nèi)存業(yè)者表示,次世代內(nèi)存中,投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存(PRAM)等三大次世代內(nèi)存,其中以MRAM的處理速度最快,但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。
不過,在DRAM和NANDFlash制程已逼近極限,包括無人車、AI人工智能、高階智能型手機和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能,是臺積電認(rèn)為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù),進行商業(yè)化量產(chǎn)。
評論