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IBM + X-POWER + 源卓微納:以AI會(huì)友,共創(chuàng)制造業(yè)智能化故事2.0
- "極致數(shù)字化"的時(shí)代已然拉開(kāi)帷幕,全新水平的復(fù)雜數(shù)據(jù)和生成式 AI 的"化學(xué)效應(yīng)",正在加速提升自動(dòng)化工作流的智能水平,幫助企業(yè)擁有更廣泛且有競(jìng)爭(zhēng)力的業(yè)務(wù)影響,同時(shí)通過(guò)實(shí)時(shí)洞察和決策來(lái)加速和擴(kuò)展企業(yè)內(nèi)部數(shù)字化轉(zhuǎn)型的議程。據(jù)IBM 商業(yè)價(jià)值研究院近期針對(duì)全球范圍內(nèi)2,000 多名首席級(jí)高管開(kāi)展的一項(xiàng)AI和自動(dòng)化調(diào)研的洞察報(bào)告顯示,在生成式 AI 采用和數(shù)據(jù)主導(dǎo)式創(chuàng)新領(lǐng)域處于前沿的企業(yè)已經(jīng)收獲了巨大的回報(bào),其年凈利潤(rùn)要比其他組織高出 72%,年收入增長(zhǎng)率要高出
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X-FAB推出針對(duì)近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管(SPAD)器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺(tái)。得益于在制造過(guò)程中增加的額外工藝流程,在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí),顯著增強(qiáng)信號(hào),而且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負(fù)面影響。X-FAB通過(guò)推出這一最新版本的產(chǎn)品,成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍,提升了解決眾多視近紅外
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艾邁斯歐司朗攜手立功科技與Enabot,推出智能機(jī)器人EBO X
- ●? ?TMF8821可輸出多個(gè)點(diǎn)距離值,具有避障、防跌落和輔助建圖功能;●? ?TMF8821卓越的測(cè)距性能與出色的抗陽(yáng)光干擾能力,能夠在各種光照環(huán)境下實(shí)現(xiàn)可靠檢測(cè);●? ?TMF8821產(chǎn)線校準(zhǔn)方式簡(jiǎn)單,只需一次底噪校準(zhǔn)就可完成;●? ?立功科技提供算法技術(shù)支持,優(yōu)化功能效果。EBO X智能機(jī)器人全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗近日宣布,通過(guò)與立功科技合作,攜手家庭機(jī)器人供應(yīng)商Enabot成功推出AI智能陪伴機(jī)器人
- 關(guān)鍵字: 艾邁斯歐司朗 立功科技 Enabot 智能機(jī)器人 EBO X 家庭陪伴
X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項(xiàng)
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對(duì)穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后,現(xiàn)又在此平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對(duì)半導(dǎo)體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更加靈活,從而應(yīng)對(duì)可再生能源、EV動(dòng)力系統(tǒng)、工廠自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機(jī)遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點(diǎn),非常適合制造車用傳感器和高壓工
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高通驍龍 X Elite 處理器發(fā)布:支持 Win12,可本地運(yùn)行 130 億參數(shù) AI 大模型
- IT之家?10 月 25 日消息,2023 的高通峰會(huì)現(xiàn)在正式開(kāi)始,高通推出的第一款產(chǎn)品就是為 PC 產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全新驍龍 X 平臺(tái),其旗艦產(chǎn)品命名為“驍龍 X Elite”。驍龍 X Elite 采用定制 Oryon CPU,基于 4nm 工藝打造,采用 12 顆 3.8GHz 大核,支持雙核睿頻至 4.3GHz,內(nèi)存帶寬 136GB/s,緩存總數(shù) 42MB。IT之家匯總驍龍 X Elite 規(guī)格如下:規(guī)格CPUQualcomm Oryon CPU,64 位架構(gòu),12 核,最高 3.8 GHz,
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DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰(zhàn)不可忽視
- 在人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的重要演進(jìn),極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今,無(wú)論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加
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全球首個(gè),華為重磅發(fā)布!事關(guān)5G
- 據(jù)華為官方微信號(hào)10月11日消息,2023全球移動(dòng)寬帶論壇(Global MBB Forum 2022)期間,華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌重磅發(fā)布了全新一代5G室內(nèi)數(shù)字化產(chǎn)品解決方案LampSite X系列,助力運(yùn)營(yíng)商打開(kāi)商業(yè)新空間,加快邁向數(shù)智化新時(shí)代。楊超斌表示:“LampSite X將5G-A極致能力首次帶入室內(nèi)場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)室內(nèi)數(shù)字化全面升級(jí):以最小體積、最輕重量、最簡(jiǎn)部署、最低能耗實(shí)現(xiàn)萬(wàn)兆體驗(yàn)和多維能力升級(jí),滿足消費(fèi)者更極致的室內(nèi)體驗(yàn)需求,釋放千行百業(yè)更強(qiáng)大的數(shù)字生產(chǎn)力?!比A為無(wú)線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 華為 5G LampSite X
X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成無(wú)源器件(IPD)制造能力,進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻(RF)領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展(9月17至22日,柏林)舉辦前夕推出XIPD工藝;參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員(位于438C展位)就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層,讓客戶能夠在其器
- 關(guān)鍵字: X-FAB 無(wú)源器件 晶圓代工廠
TDK Ventures進(jìn)軍歐洲,將以新的1.5億美元基金EX1投資清潔技術(shù)初創(chuàng)公司
- TDK株式會(huì)社(TDK Corporation,東京證券交易所代號(hào):6762)今天宣布,其企業(yè)風(fēng)險(xiǎn)投資部門(mén)子公司TDK Ventures Inc.正在進(jìn)軍歐洲市場(chǎng),并計(jì)劃投資該地區(qū)的初創(chuàng)企業(yè)。 該公司選擇倫敦作為其第一個(gè)前哨基地,以實(shí)現(xiàn)在整個(gè)歐洲培育能源轉(zhuǎn)型、電氣化和脫碳的雄心壯志。 與此同時(shí),TDK Ventures將啟動(dòng)其1.5億美元的多方有限合伙人基金EX1。 該基金將專注于處于種子期和A輪階段的歐洲和北美能源轉(zhuǎn)型初創(chuàng)公司。經(jīng)過(guò)深入研究,TDK Ventures選擇了倫敦,因?yàn)檫@里風(fēng)險(xiǎn)投
- 關(guān)鍵字: TDK Ventures 清潔技術(shù)
特斯拉季末沖擊銷量!Model S/X美國(guó)市場(chǎng)降價(jià)8000美元,外加3年免費(fèi)充電
- 6月19日消息,作為季度末促銷活動(dòng)的一部分,特斯拉再次對(duì)某些庫(kù)存車型提供折扣,以尋求在第二季度結(jié)束前提振銷量。隨著季度末的臨近,特斯拉希望通過(guò)減少庫(kù)存來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),特斯拉會(huì)定期實(shí)施特殊折扣或激勵(lì)措施,以便在季度末之前清空庫(kù)存車輛。據(jù)外媒報(bào)道,特斯拉近日將Model X和Model S的售價(jià)都下調(diào)了8000美元,并為6月30日之前購(gòu)車的客戶提供三年免費(fèi)超級(jí)充電服務(wù)。特斯拉官網(wǎng)顯示,這些舉措意味著,客戶現(xiàn)在可以8.3萬(wàn)美元左右的價(jià)格買(mǎi)到2023年款特斯拉Model S,折扣金額為75
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 Model S/X 充電
X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化
- 中國(guó)北京,2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在開(kāi)展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能,使其能夠輕松獲得具有磷化銦(InP)和鈮酸鋰(LNO)異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅(SiN)與絕緣體上硅(SOI)光電子平臺(tái)。在此過(guò)程中,模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議,旨在推
- 關(guān)鍵字: X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國(guó)北京,2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
- 關(guān)鍵字: X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
積極塑造工業(yè)4.0數(shù)據(jù)空間:倍加福推出“Manufacturing-X”計(jì)劃
- 工業(yè)4.0的下一階段將是什么?通過(guò)“Manufacturing-X”計(jì)劃,工業(yè)4.0平臺(tái)正在創(chuàng)建一個(gè)跨越多個(gè)行業(yè)和公司的主權(quán)數(shù)據(jù)空間,旨在實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈上的多邊合作,并將數(shù)字價(jià)值的創(chuàng)造過(guò)程提升到新的水平。 倍加福(Pepperl+Fuchs)通過(guò)參與工業(yè)4.0參考架構(gòu)模型(RAMI)的討論,為明確對(duì)工業(yè)4.0的理解做出了貢獻(xiàn)。如今,倍加福及其子公司Neoception將于2023年4月17日至21日在德國(guó)漢諾威工業(yè)博覽會(huì)(HANNOVER MESSE)上,展示“Manufacturing-X”的下一
- 關(guān)鍵字: 工業(yè)4.0數(shù)據(jù)空間 倍加福 Manufacturing-X
碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進(jìn)
- 近期,一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團(tuán)宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中,瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出,按照計(jì)劃,瑞薩電子擬在目
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 瑞薩 X-FAB
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