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全球首創(chuàng):中國團隊自研RISC-V快充芯片通過USB PD認證
- 近日,威海優(yōu)微科技UPD350正式通過了USB-IF協(xié)會USB PD3.0 DRP雙向認證。在USB-IF官網(wǎng),可以查詢到該芯片的認證TID號為2465。UPD350芯片提供了一個靈活的可編程體系結構,可持續(xù)滿足PD/TYPE-C相關規(guī)范的不斷演進和PD Plus應用的功能擴展。芯片內部PD部分采用TCPM/TCPC分層架構,集成了一個原生的TCPC-like前端模塊,包括用于Type-C接口檢測與控制的數(shù)字邏輯和模擬電路,PD PHY層的分組BMC編解碼以及PD協(xié)議層中對時序有嚴格要求的關鍵功能,同時創(chuàng)
- 關鍵字: 快充 RISC-V
RISC-V入局漸深,注重安全領域
- 現(xiàn)今市場,處理器主要分布于兩個領域,移動領域和PC領域,ARM架構和x86架構的處理器占據(jù)市場主流架構由于中國半導體芯片產業(yè)長期處于脈沖式發(fā)展狀態(tài),沒有持續(xù)性和延續(xù)性,因此中國半導體芯片產業(yè)受國外技術影響明顯。中美貿易戰(zhàn)美國對中興公司的制裁,以及之后對華為等企業(yè)的制裁證明了這一點。圖片來源網(wǎng)絡自中興事件發(fā)酵后,中國RISC-V產業(yè)聯(lián)盟和中國開放指令生態(tài)系統(tǒng)(RISC-V)聯(lián)盟成立。與此同時RISC-V對于中國處理器產業(yè)實現(xiàn)自主可控也是極大的助力。華為一直在做RISC-V開源架構的研發(fā),RISC-V不僅僅是
- 關鍵字: RISC-V
RISC-V是個機會:阿里、華為等中國廠商將全力跟進
- 正在烏鎮(zhèn)舉行的第六屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上,中國工程院院士、中國開放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(CRVA)理事長倪光南發(fā)表演講稱,要推動開源的RISC-V成主流。倪光南表示,從世界的角度來看,兩類架構的CPU已經占據(jù)市場。第一代是X86,英特爾和AMD兩家公司掌握,在服務器等領域占有壟斷地位;第二個是ARM,在移動領域有壟斷的地位。不過他強調,X86架構是壟斷的,ARM架構的授權費用又很高 ,“海思和國防科技大學買到的ARM終身架構授權需要花費很高,錢花的比較多?!弊鳛橹袊_放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(C
- 關鍵字: 華為 阿里巴巴 RISC-V
兆易創(chuàng)新MCU進入RISC-V賽道,提供百貨商店式的豐富方案
- 王?瑩?(《電子產品世界》,北京?100036) 摘?要:2019年8月,兆易創(chuàng)新推出全球首個RISC-V內核32位通用MCU——GD32VF103,面向主流型開發(fā)需求,且與自己已有的Arm MCU——GD32F103對標,二者可以自由切換。兆易創(chuàng)新為何要第一個吃螃蟹?作為國內最大的通用32位MCU廠商,MCU戰(zhàn)略是什么? 關鍵詞:RISC-V;MCU;Arm 1 為何要做RISC-V MCU? 多年來,兆易創(chuàng)新堅持的兩個原則是市場導向和客戶需求?! ∥锫?lián)網(wǎng)(IoT)的多元化、差異化需求大,可
- 關鍵字: 201910 RISC-V MCU Arm
Power Integrations推出汽車級200 V Qspeed二極管,可大幅增強音頻放大器的性能
- 美國加利福尼亞州圣何塞,2019年9月10日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術,可在軟開關和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。最新通過認證的200 V二極管具有業(yè)界最低的反向恢復電荷
- 關鍵字: PI 200 V Qspeed二極管 音頻放大器
全球首款碳納米管通用計算芯片問世!RISC-V架構,5倍于摩爾定律,Nature連發(fā)三文推薦
- “Hello, World!I am RV16XNano, made from CNTs”.“你好,世界!我是 RV16XNano,由碳納米管制成?!边@句話,出自MIT研究團隊發(fā)明的16位碳納米管芯片執(zhí)行的程序。是的,你沒有看錯,他們用與硅相同的制作工藝,基于碳納米管做出了具有完整架構的芯片,還與世界打了招呼。剛剛,Nature刊發(fā)了這一研究成果,并發(fā)表相應的新聞、評論進行重點推薦。碳納米管,被認為是替代硅材料首選,而且比硅導電更快,效率更高。從理論上來說,效率達到硅的10倍,運行速度為3倍,而僅僅只需要
- 關鍵字: RISC-V
將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件,采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關頻率,以及由于對稱設計,具有低雜散電感的軟恢復并聯(lián)二極管
- 關鍵字: ADI ADuM4135柵極驅動器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊
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