首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> win健+v

基于Hyper-V虛擬化技術實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

  • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風廓線雷達，能夠為航空飛行提供機場上空的風速風向和溫度?；诒Ｕ巷L廓線雷達正常運行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預設備的試驗，實現(xiàn)了風廓線雷達系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復時間提高了95%。
  • 關鍵字： 故障轉(zhuǎn)移集群  Hyper-V  風廓線雷達  平均故障修復時間  

讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術展示

  • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
  • 關鍵字： 奧迪  V-to-V  V-to-I   

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包
  • 關鍵字： 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
  • 關鍵字： Imec  III-V  

電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

  • 　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 　　   　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
  • 關鍵字： V/I  V/F  

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
  • 關鍵字： 三星   V-NAND  

2016年3D V-NAND市場擴大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術分類，V-N
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  • 　　全球先進半導體技術領軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 　　三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場競爭力，進一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務的發(fā)展。” 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術的最新產(chǎn)品，每
  • 關鍵字： 三星  V-NAND閃存  

AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性

  • 　　可編程電源是電氣實驗室工程師及技術人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個開啟/關閉開關及兩個用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會是首選方法，因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 　　對低成本應用中的大多數(shù)電源而言保護功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應用中，會要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會很容易損壞設備，這就為使用者提出了新的要求。 　　AMET
  • 關鍵字： 可編程電源  AMETEK  V-span  

基于FPGA的高帶寬存儲接口設計

  • 　　摘要：文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設計預期相符，性能優(yōu)良，適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應用。 　　如今，越來越多的應用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導致了FPGA和外部Memory接口的實際有效帶寬
  • 關鍵字： FPGA  Altera  Cyclone V  

Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機控制市場

  • 　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級產(chǎn)品，此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場為數(shù)字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
  • 關鍵字： 貿(mào)澤電子  Freescale  Kinetis V  

V-Band 微波小站回傳，TDD還是FDD？

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： LTE  V-Band  FDD  TDD  
共378條 22/26 |‹ « 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 »

win健+v介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條win健+v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對win健+v的理解，并與今后在此搜索win健+v的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473