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利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
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X-RFID智能型圖書館管理系統(tǒng)

  • 摘要:隨著信息技術(shù)不斷升級和信息服務(wù)逐漸提升,圖書館管理的信息化迫切需要一種更新更完善的智能化解決方案,因此基于X-RFID的圖書館管理系統(tǒng)便應(yīng)運(yùn)而生。X-RFID是將XPM技術(shù)應(yīng)用于RFID芯片中,用XPM存儲器替代傳統(tǒng)
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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唐芯微ASIC驗(yàn)證平臺 再獲嘉獎

  • 2011年IC產(chǎn)業(yè)CEO論壇暨中國IC設(shè)計(jì)公司成就獎頒獎典禮在馬哥孛羅好日子酒店舉行,唐芯微電子不失眾望,經(jīng)過行業(yè)用戶在線評選,再一次榮獲本年度IC設(shè)計(jì)公司成就獎----“十大杰出技術(shù)支持中國IC設(shè)計(jì)”---獎項(xiàng)。
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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X-RFID在智能型圖書館管理系統(tǒng)中的應(yīng)用

  •  0 引言  圖書館的日常服務(wù)涉及到人流、物流的管理, 需要進(jìn)行大量的讀者和書刊的識別、訪問控制、統(tǒng)計(jì)等工作。  目前, 圖書館基本上都采用條形碼技術(shù)作為識別方法來實(shí)現(xiàn)這些功能。然而, 條形碼雖然有價(jià)格便宜
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基于DM642的X.264編碼器優(yōu)化

  • H.264標(biāo)準(zhǔn)的全稱為“H.264/MPEG-4 part 10”,是由ITU-T和ISO/IEC共同成立的聯(lián)合視頻組(Joint Video Team,JVT) ...
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安捷倫科技在其示波器領(lǐng)域再出創(chuàng)新

  • 安捷倫科技公司今天宣布對其性價(jià)比極高的InfiniiVision 3000 X 系列示波器功能全面增強(qiáng),除了讓其內(nèi)置信號源支持任意波形產(chǎn)生外,還推出了5個(gè)新的應(yīng)用分析支持,1個(gè)‘絕代佳儀,買一贈一,盡在安捷倫高端系列儀器’計(jì)劃。 示波器內(nèi)置任意波形發(fā)生器特別適合于激勵-響應(yīng)這一測試應(yīng)用,可以讓工程師把示波器抓到的波形馬上形成激勵文件,然后讓任意波形發(fā)生器去回放。
  • 關(guān)鍵字: 安捷倫  示波器  InfiniiVision 3000 X  

Intersil推出WIDESound x 4TM音頻增強(qiáng)技術(shù)

  • 全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司2010年1月15日宣布,推出適用于解決空間有限,但對音質(zhì)要求苛刻需求的WIDESound x 4TM音頻增強(qiáng)技術(shù)。
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泛華舉辦2011泛華生產(chǎn)線自動化測試巡回研討會

  • 8月23日,由北京泛華恒興科技有限公司(簡稱:泛華恒興)主辦的“2011泛華生產(chǎn)線自動化測試巡回研討會”在重慶開幕。繼重慶站之后,該研討會還將在武漢、北京、上海、廣州、長春等地陸續(xù)舉辦。
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
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XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù),32層,其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存,而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片(SoCs),此方案具有極高的性價(jià)比,其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存,EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash),更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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