x-gan 文章進(jìn)入x-gan技術(shù)社區(qū)

Intersil推出WIDESound x 4音頻增強(qiáng)技術(shù)

　　全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球精選市場(chǎng)交易代碼：ISIL)今天宣布，推出適用于解決空間有限，但對(duì)音質(zhì)要求苛刻需求的WIDESound x 4音頻增強(qiáng)技術(shù)。　　現(xiàn)在的輕薄平板電視和其他新潮的消費(fèi)類產(chǎn)品的尺寸有限，設(shè)計(jì)者無法采用傳統(tǒng)的大尺寸多揚(yáng)聲器系統(tǒng)。然而消費(fèi)者仍然需要完整、飽滿的音質(zhì)，以及時(shí)尚、漂亮的產(chǎn)品外觀。　　WIDESound x 4技術(shù)可以用多通道條形音箱模擬出“虛擬”環(huán)繞聲效果，從而大大提升無法安裝全尺寸揚(yáng)聲器的平
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應(yīng)用創(chuàng)新時(shí)代，摩爾定律以外的世界同樣精彩

　　當(dāng)幾年前集成電路生產(chǎn)工藝達(dá)到深亞微米時(shí)，關(guān)于摩爾定律(Moore’s Law)是否在未來仍然有效的討論就廣泛展開，于是很快也就有了“摩爾定律進(jìn)一步發(fā)展(More Moore)”和“超越摩爾定律(More than Moore)”兩種觀點(diǎn)。這兩種觀點(diǎn)分別在相關(guān)領(lǐng)域影響著電子技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為了許多行業(yè)和企業(yè)制定技術(shù)和產(chǎn)品路線圖的重要依據(jù)。　　在過去的幾年中，More Moore似乎有了更快的發(fā)展。納米級(jí)的半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)不僅應(yīng)用在了
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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PCI Express 在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

PCI Express 在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,在過去幾十年里，PCI總線是一種非常成功的通用I/O總線標(biāo)準(zhǔn)，尤其在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中，經(jīng)常會(huì)看到PCI總線的蹤影，但它將不能滿足未來計(jì)算機(jī)設(shè)備的帶寬需要。隨著制造工藝的發(fā)展，將會(huì)出現(xiàn)10GHz的CPU，高速的內(nèi)存和顯卡
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PNA-X NVNA網(wǎng)絡(luò)分析儀專注非線性測(cè)量

隨著 TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，越來越多的科技與研發(fā)人員投入到更先進(jìn)的器件的研究與開發(fā)當(dāng)中。功率放大器以及相應(yīng)的功能部件是無線通信設(shè)備中最為關(guān)鍵的部件。從設(shè)計(jì)思想的產(chǎn)生到設(shè)計(jì)的仿真，再到具體電路的
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英飛凌低成本HSDPA 3G方案降低3G手機(jī)門檻

　　2009年2月25日，德國(guó)Neubiberg與西班牙巴塞羅那訊——英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）近日發(fā)布一款全新低成本平臺(tái)解決方案。該解決方案依靠一種低成本的3G網(wǎng)絡(luò)連接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高速移動(dòng)上網(wǎng)。　　　　英飛凌XMM? 6130是一種經(jīng)濟(jì)合算且極具競(jìng)爭(zhēng)力的3G解決方案，可充分利用3G HSDPA技術(shù)數(shù)據(jù)速率更高這一特性，改善移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)，從而樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。該平臺(tái)的核心是蜂窩片上系統(tǒng)X-GOLD? 613，它全面集成了2G/3G數(shù)字與模擬基帶功能和功率
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SUSS MicroTec聯(lián)合iX-factory開發(fā)微流體和集成光學(xué)MEMS方案

據(jù)半導(dǎo)體國(guó)際網(wǎng)站報(bào)道，SUSS MicroTeci與X-factory共同宣布，將在微流體和集成光學(xué)應(yīng)用方面密切合作。iX-factory開發(fā)相關(guān)技術(shù)，SUSS MicroTec提供設(shè)備平臺(tái)，如其新推出的MA/BA8 Gen3雙面光刻機(jī)和CB8晶片鍵合機(jī)。iX-factory是領(lǐng)先的單晶片生產(chǎn)和技術(shù)服務(wù)的專業(yè)廠商。 SUSS Micr
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英飛凌推出新一代低成本手機(jī)芯片X-GOLD110

　　近日，英飛凌科技股份公司（法蘭克福/紐約交易所股票交易代碼：IFX）在其位于德國(guó)慕尼黑Neubiberg的總部宣布，推出其第三代超低成本（ULC）手機(jī)芯片。X-GOLD-110是當(dāng)今世界上集成度最高、極具成本收益的、面向GSM/GPRS超低成本手機(jī)的單芯片解決方案。由于與當(dāng)前市場(chǎng)上現(xiàn)有的解決方案相比，X-GOLD-110將手機(jī)制造商的系統(tǒng)成本（物料成本）降低了20%，英飛凌再次為手機(jī)行業(yè)設(shè)立了新的基準(zhǔn)。　　英飛凌無線通訊事業(yè)處全球總裁Weng Kuan Tan表示：“成功推出第三代UL
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英飛凌推出下一代單片集成手機(jī)芯片X-GOLD 102

　　英飛凌科技股份公司日前在GSMA移動(dòng)通信亞洲大會(huì)上，推出最新超低成本手機(jī)芯片X-GOLD™102。相對(duì)于英飛凌現(xiàn)有的平臺(tái)解決方案，該芯片可使系統(tǒng)性能提升5倍，同時(shí)降低近10%的物料成本（BOM）。　　英飛凌單片解決方案X-GOLD™102可使手機(jī)廠商通過提供基于IP和量產(chǎn)技術(shù)的最低成本解決方案實(shí)現(xiàn)差異化，從而在市場(chǎng)上脫穎而出。該芯片將成為XMM™1020平臺(tái)解決方案的一部分。XMM™1020平臺(tái)解決方案包括開發(fā)工具套件和客戶支持套件，能夠最大限度縮短
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
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IBM X-Force安全性報(bào)告揭示上半年網(wǎng)絡(luò)安全兩大主題

　　94%瀏覽器攻擊發(fā)生在漏洞公布的24小時(shí)之內(nèi) 　　IBM日前發(fā)布了X-Force 2008年中IT安全趨勢(shì)統(tǒng)計(jì)報(bào)告，結(jié)果顯示網(wǎng)絡(luò)罪犯正在采用新的自動(dòng)化技術(shù)和策略，較以往能夠更加快速地攻擊網(wǎng)絡(luò)漏洞。有組織的犯罪分子正在互聯(lián)網(wǎng)上使用這些新的工具，同時(shí)，研究人員公布的攻擊代碼正將更多的系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫(kù)和人員置于更加危險(xiǎn)的境地。　　據(jù)X-Force報(bào)告顯示，94%針對(duì)瀏覽器的攻擊發(fā)生在漏洞公布的24小時(shí)內(nèi)。這些攻擊被稱為"零天"攻擊，發(fā)生在人們意識(shí)到系統(tǒng)中存在需要打補(bǔ)丁的漏洞之前。　
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測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
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Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
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研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN