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Car-to-x，恩智浦技術(shù)開啟車聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代

還記得去年長安街上的車禍案嗎？飛馳的英菲尼迪將?？吭诮煌羟暗谋咎镲w度2廂變1廂。同年，在甘肅敦煌，大眾...
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線性光耦器件IL300-F-X009原理及其應(yīng)用

摘要：介紹在采集交流永磁同步電機(jī)母線電流時(shí)，為防止外界的各種干擾，必須將霍爾傳感器測量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進(jìn)行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號，進(jìn)行電壓檢測，用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選
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一種X 波段波導(dǎo)縫隙天線的設(shè)計(jì)與仿真

隨著信息化水平的提高和無線電技術(shù)的發(fā)展，對高效率、低副瓣天線的需求日漸強(qiáng)烈，特別是彈載、機(jī)載搜索和...
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Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開關(guān)IC

　　Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開關(guān)IC MAX12005，可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號輸入。MAX12005具有高度集成特性，且應(yīng)用十分靈活，非常適合多種空間受限的衛(wèi)星IF分配和多開關(guān)應(yīng)用。　　MAX12005應(yīng)用十分靈活，通過一路附加的IF開關(guān)輸入配置內(nèi)部8 x 4矩陣，可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號輸入。器件支持單個(gè)四路低噪聲下變頻模塊(LNB)，垂直或水平極化信號可通過矩陣切換至四個(gè)衛(wèi)星接收器。使用兩片MAX12005 IC以及增加八個(gè)輸入分離器還可實(shí)現(xiàn)將八路衛(wèi)星IF輸入分配至八個(gè)衛(wèi)星接收器的配
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Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的USB充電器識別開關(guān)

　　Maxim推出USB充電器識別方案MAX14566E，支持采用筆記本電腦為便攜設(shè)備充電，即使筆記本電腦處于休眠或深度休眠模式也可進(jìn)行充電。該款開關(guān)支持USB電池充電規(guī)范1.1版以及面向中國市場的CCSA YD/T 1591-2006標(biāo)準(zhǔn)。MAX14566E結(jié)構(gòu)緊湊(2mm x 2mm)，與分立方案相比可有效節(jié)省電路板空間，降低軟件開銷。　　MAX14566E通過充電器識別電路可自動(dòng)識別所連接的便攜設(shè)備類型，該電路無需外部軟件干預(yù)，主機(jī)USB端口可通過短接D+/D-檢測支持兼容USB電池充電規(guī)范1.
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歐洲晶圓代工廠應(yīng)對亞洲同行挑戰(zhàn)

　　據(jù)iSuppli公司，通過采用有針對性的技術(shù)、靈活的生產(chǎn)擴(kuò)張戰(zhàn)略和明智的收購行動(dòng)，歐洲半導(dǎo)體代工廠商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場中占有一席之地，成為模擬與混合信號半導(dǎo)體供應(yīng)商。　　
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)

　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備，以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管，對于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓，導(dǎo)通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝

　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，今天宣布其將擴(kuò)大自身的晶圓廠服務(wù)，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴(kuò)展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位，并能使為汽車與消費(fèi)電子市場開發(fā)應(yīng)用設(shè)備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù),開發(fā)200毫米晶片的MEMS設(shè)
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X-FAB將參展2010 中國國際微機(jī)械/MEMS展覽會(huì)

　　業(yè)界領(lǐng)先的模擬或混合信號硅晶圓代工廠和“超越摩爾定律”技術(shù)的專家X-FAB公司，將參加2010年5月27日-29日舉行的中國國際微機(jī)械/MEMS展覽會(huì)暨新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化論壇，展示其先進(jìn)的MEMS代工廠服務(wù)，展位號為 #A303 & 304。X-FAB公司的代工制程技術(shù)，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在制造微型機(jī)械傳感器上，包含結(jié)合了MEMS和CMOS的集成解決方案, 可以用來探測壓力、加速度、轉(zhuǎn)速和紅外線輻射。　　X-FAB在MEMS代工方面已經(jīng)擁有超過10年的經(jīng)驗(yàn)，為壓力傳感器、
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連接Profibus和Modbus-TCP網(wǎng)絡(luò)的Anybus X-網(wǎng)關(guān)

　　簡便易用的智能網(wǎng)關(guān)可將施耐德電氣、ABB或通用電氣設(shè)備同西門子自控系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)連接起來。來自HMS工業(yè)網(wǎng)絡(luò)有限公司的Anybus X-網(wǎng)關(guān)使得系統(tǒng)集成器可以在兩個(gè)不同的PLC系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)間輕松傳導(dǎo)輸入輸出數(shù)據(jù)。X-網(wǎng)關(guān)是一種可配置的獨(dú)立網(wǎng)關(guān)，它能使得基于Profibus網(wǎng)絡(luò)的車間設(shè)備可與基于Modbus-TCP網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備進(jìn)行雙向通信。典型的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)榛旌鲜褂梦鏖T子、施耐德電氣、ABB或通用電氣設(shè)備的裝置。一個(gè)實(shí)例是在汽車制造工廠，在那兒基于Profibus的裝置需要同基于工業(yè)以太網(wǎng)并使用流行的Modbus
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X-fest 2010 系列研討會(huì)圓滿落幕好評如潮

　　安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司(Xilinx, Inc.)攜手舉辦的為期五個(gè)月、橫跨全球 37 個(gè)城市的 X-fest 系列技術(shù)研討會(huì)已經(jīng)圓滿結(jié)束。本次活動(dòng)的出席人數(shù)超出預(yù)期，并且贏得了參會(huì)人員的一致贊許。　　為期一天的免費(fèi)培訓(xùn)提供了實(shí)用的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)指導(dǎo)，包含賽靈思的 Spartan®-6 和 Virtex®-6 FPGA 系列的詳盡介紹，以及來自賽普拉斯、英特爾、美信(Maxim Integrated Products)、
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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X-FAB 率先提出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案

　　業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，X-FAB Silicon Foundries，今天成為第一家也是唯一一家提供嵌入式非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)工藝特征的專業(yè)晶圓代工廠，提出了一種單芯片解決方案。由于結(jié)合了快速存取SRAM以及EEPROM或閃存的非易失性保持的優(yōu)點(diǎn)，即使芯片面積大大減少，XH018工藝的新的NVRAM能力和支持NVRAM編譯器可使客戶獲取同樣甚至更好的功能，同時(shí)當(dāng)他們設(shè)計(jì)與測試時(shí)更能夠節(jié)省時(shí)間和精力。　　新的編譯器允許設(shè)
關(guān)鍵字： X-FAB NVRAM 晶圓代工