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幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
  • 關鍵字： 安森美  GaN  驅動器  PCB  

氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
  • 關鍵字： 安森美  GaN  PCB  

納芯微新品，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管的半橋芯片NSD2621

  • 前言現階段的大多數 GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸的波動。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
  • 關鍵字： GaN  納芯微  半橋驅動芯片  

納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K

  • 納芯微全新推出GaN相關產品，包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產品，內部集成了高壓半橋驅動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動電流2A/-4A 03.&n
  • 關鍵字： 納芯微  GaN  

BOE(京東方)獨供Varex新一代X-ray平板探測器背板 賦能創(chuàng)新醫(yī)療新賽道

  • 1月12日，全球領先的X射線平板探測器制造商Varex（萬睿視影像設備(中國)有限公司）在無錫舉辦新品發(fā)布儀式，重磅推出旗下第5代低劑量4343W X-ray平板探測器新品。這款由BOE（京東方）獨供的X-ray平板探測器背板（FPXD），可大幅降低Ｘ射線使用劑量，在X射線轉化效率方面實現全新突破。此次與Varex公司強強聯合，標志著BOE（京東方）傳感業(yè)務在全球高端醫(yī)療影像領域邁上新臺階，彰顯了其FPXD技術水平和工藝能力達到國際領先水平。當前，在X射線成像應用中，數字成像技術正逐步取代傳統(tǒng)的X光模擬成
  • 關鍵字： BOE  京東方  X-ray平板探測器背板  

基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產品實體圖?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  PD  QR  高頻率  GaN  

基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： 安森美  有源鉗位  NCP1568  GaN  PD電源  適配器  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字： NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

  • 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
  • 關鍵字： 英飛凌  PFC和混合反激式組合IC  GaN  USB-C EPR適配器  

基于安森美半導體NCP1342驅動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

  • 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD  

完成近2年半任務 美軍X-37B太空無人機重返地球

  • 波音公司（Boeing）表示，美國空軍太空無人機X-37B在繞行地球軌道近2年半后，于今天降落在佛羅里達州肯尼迪太空中心（Kennedy Space Center），結束第6次任務。法新社報導，X-37B于2010年首飛，至今累計飛行超過10年，并在6次任務中飛行超過20億公里。X-37B由波音和洛克希德馬丁公司（Lockheed Martin）的合資企業(yè)「聯合發(fā)射同盟」（United Launch Alliance）為空軍所設計，是外界所知很少的美軍秘密項目。美軍太空行動負責人薩茲曼（Chance Sa
  • 關鍵字： X-37B  太空無人機  

格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

  • 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
  • 關鍵字： 格芯獲  GaN  

GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

  • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
  • 關鍵字： GaN IC  電機驅動器  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
  • 關鍵字： Wolfspeed  放大器  GaN  
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