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第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導體

  • 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產業(yè)鏈業(yè)務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務，或已出貨相關產品，但多數為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
  • 關鍵字： 第三代芯片  三代半導體  GaN  

新世代主機大戰(zhàn)火藥味漸濃 索尼能再贏一次嗎？

  • 緊盯微軟，索尼或許能贏得主機戰(zhàn)爭。但很顯然，只有商業(yè)競爭的主機行業(yè)沒有未來。新世代主機大戰(zhàn)的火藥味漸濃?！　∩现?，微軟公布了下一代 Xbox 游戲主機的價格和發(fā)售時間，旗艦機型 Xbox Series X 定價僅 499 美元。這樣的價格絕對是賠本的，而且虧得不止一點。雖然游戲機行業(yè)‘硬件虧錢，軟件盈利’的模式已持續(xù)多年，但這樣的價格仍出乎所有人的預料?！　∫恢苤?，索尼也亮出了自己的‘底牌’。PS5 定價 499 美元，無光驅版 399 美元，11 月 12 日開售，僅比微軟晚兩天。除此之外，索尼還公布
  • 關鍵字： 索尼  微軟  Xbox Series X   PS5  

采用升壓功率因數校正(PFC)前級及隔離反激拓撲后級的90W可調光LED鎮(zhèn)流器設計

  • (?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術，在該公司今天同時發(fā)布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現了
  • 關鍵字： GaN  IC  PWM  

面向新基建的GaN技術

  • 新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
  • 關鍵字： OBC  GaN  202009  

電源設計，進無止境

  • 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術，從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實現更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
  • 關鍵字： QFN  EMI  GaN  MCM  

e絡盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應用開發(fā)熱情

  • 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關專業(yè)知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發(fā)的優(yōu)質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
  • 關鍵字： TTS  STT  AIoT  CNN  RNN  GAN  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

GaN 將能源效率推升至新高度

  • 德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設計師采用這項新技術的領軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統(tǒng)設計師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統(tǒng)，建設更綠色環(huán)保的世界。
  • 關鍵字： MOSEFT  GaN  UPS  

AMD：PS5、Xbox Series X所用7nm芯片已開始生產和發(fā)貨

  • 在二季度財報會議上，AMD CEO蘇姿豐博士表示，許多既定產品都會在2020年如期發(fā)布，其中就包括Zen3架構處理器、RDNA2顯卡（Big Navi）等。蘇博士還透露，AMD已經開始下一代主機PS5、Xbox Series X所用芯片的初步生產和出貨。按計劃，兩款主機均定于今年圣誕節(jié)期間上市。AMD今日交出一份不錯的成績單，營收19.3億美元，同比增加了26%，凈利潤1.57億美元更是同比增長349%。從AMD給出的信息來看，亮眼表現的背后功臣是銳龍4000移動處理器廣受市場歡迎，甚至是迄今為止AMD賣
  • 關鍵字： AMD  PS5  Xbox Series X  7nm  

特斯拉做工問題太多，但為何不影響大賣

  • 6月28日消息，據國外媒體報道，特斯拉用Model S和Model X占領了豪華電動車市場，Model 3在中型車市場也形成了有力競爭，Model Y或許成為公司迄今為止銷量最大的車型。但特斯拉仍有一個弱點：汽車的生產質量存在問題。日前，特斯拉在最有影響力的J.D. Power新車質量調查中排名最低，每100輛車出現250個問題，但由于不符合調查標準，該品牌沒有得到正式排名。人們曾寄希望Model Y已經克服早期車型存在的一系列問題，但仍有嚴重質量問題。但這似乎并沒有阻止人們對特斯拉的喜愛。甚至很多遇到問
  • 關鍵字： 特斯拉  汽車設計  Model S  Model X  

自有技術加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用

  • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

新基建驅動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

助力新基建，安世半導體升級GaN產品線

  • 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
  • 關鍵字： 安世半導體  GaN  

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

  • 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯結構并優(yōu)化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
  • 關鍵字： Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  

聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關鍵字： 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  
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