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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 矽材料

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

  • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 　　隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。 　
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矽材料介紹

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