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臺(tái)積電霸主地位受挑戰(zhàn)?全球首個(gè)2nm芯片誕生,但量產(chǎn)仍是難題

發(fā)布人:科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) 時(shí)間:2021-05-09 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

這款芯片的關(guān)鍵在于將500億個(gè)晶體管納入150平方毫米大小的芯片中。


5月6日,IBM發(fā)布世界上首個(gè)2nm芯片。該公司表示,2nm架構(gòu)芯片可以在與現(xiàn)有的7nm相同的性能下,少消耗75%的電力,搭載該芯片的手機(jī)可能四天才需要充一次電;同時(shí),它也能在與現(xiàn)有的7nm相同的能耗下,增加45%的性能。比起當(dāng)前最尖端的5nm芯片,2nm芯片的體積更小、速度更快。

這款芯片的關(guān)鍵在于將500億個(gè)晶體管納入150平方毫米大小的芯片中。

IBM曾是一家主要的芯片制造商,現(xiàn)已將其大量芯片生產(chǎn)外包給三星電子。但在紐約州奧爾巴尼(Albany)仍保留著一個(gè)芯片制造研發(fā)中心,IBM制造的世界首個(gè)2nm芯片正出自此研發(fā)中心。該中心負(fù)責(zé)對(duì)芯片進(jìn)行試運(yùn)行,并與三星和英特爾簽署了聯(lián)合技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議,以使用IBM的芯片制造技術(shù)。

然而,即使手握2nm芯片制造技術(shù)這款“必殺技”,IBM也未必能甩開(kāi)臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一個(gè)身位,未來(lái)還要看這款新品的量產(chǎn)能力。

3D時(shí)代 芯片尺寸并非評(píng)判性能強(qiáng)弱的唯一標(biāo)準(zhǔn)

2D封裝時(shí)代,尺寸是芯片先進(jìn)程度的有效衡量標(biāo)準(zhǔn)。然而,隨著FinFET等3D晶體管的問(wèn)世,單位面積上能承載多少晶體管變得更有意義。

AnandTech的專欄作家Ian Cutress在5月6日發(fā)布評(píng)論文章稱,IBM宣稱自己打造了世界首個(gè)2nm制程的芯片,大幅推進(jìn)了當(dāng)前芯片生產(chǎn)技術(shù)。不過(guò)目前所謂的幾nm早已因?yàn)樾酒?D平面轉(zhuǎn)向3D發(fā)展,過(guò)去比較零組件最小尺寸的意義已失去,更多只是一種“換代”的概念,比較有意義的比較基準(zhǔn)或許是單位面積的晶體管數(shù)目。

IBM的2nm制程號(hào)稱在150平方毫米的面積中容納500億個(gè)晶體管,平均每平方毫米是3.3億個(gè),目前暫無(wú)同級(jí)別芯片可與之比較。

臺(tái)積電和三星的7nm制程大約在每平方毫米是9000萬(wàn)個(gè)晶體管左右,三星的5LPE為1.3億個(gè)晶體管,而臺(tái)積電的5nm則是1.7億個(gè)晶體管。

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IBM、臺(tái)積電 、英特爾、三星不同尺寸芯片晶體管單位密度比較

試制成功和能否量產(chǎn)是兩碼事

IBM 2015年就宣布試制7nm制程成功,但一直到去年八月才有第一個(gè)商用化產(chǎn)品Power10芯片出現(xiàn)。

因此,Ian Cutress稱,IBM的宣示意味是比較濃厚,何時(shí)能有產(chǎn)品推出又是另一回事了。

而IBM早在2014年退出代工業(yè)務(wù),將其IBM Microelectronics部門(mén)出售給格芯,其2nm芯片代工業(yè)務(wù)或?qū)⑽薪oAMD、三星、格芯、英特爾。

另外,從Power路線圖來(lái)看,IBM目前最先進(jìn)的Power10芯片為7nm制程,考慮到IBM的Power和z服務(wù)器業(yè)務(wù)的保守性(正在對(duì)處理器進(jìn)行三年更新),在設(shè)計(jì)中的Power11和正在白板中的Power12在有5nm和3nm節(jié)點(diǎn)可以使用時(shí),似乎并沒(méi)有必要運(yùn)用2nm技術(shù)。

此前IBM半導(dǎo)體研發(fā)核心人員Mukesh Khare也預(yù)計(jì),更新一代的Power11應(yīng)該在2023年左右出現(xiàn),采用成熟的5nm工藝。

值得注意的是,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正緊追不舍。目前能夠量產(chǎn)的制程技術(shù)中,臺(tái)積電5nm工藝拔得頭籌,用在蘋(píng)果的M1、A14芯片及華為的Kirin 9000上,次之為三星的5LPE工藝,用在高通驍龍888芯片上。

各家對(duì)先進(jìn)制程的探索仍在繼續(xù)。臺(tái)積電的4nm與3nm芯片預(yù)計(jì)明年量產(chǎn),2nm芯片也已經(jīng)取得了關(guān)鍵性的突破,進(jìn)度緊跟IBM。而Intel的7nm制程芯片預(yù)計(jì)2023年投產(chǎn)。

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