鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢，被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。FRAM產(chǎn)品的主要廠商包括英飛凌、日本富士通半導(dǎo)體和其他公司，這幾家公司代表了當(dāng)今世界最先進(jìn)的FRAM技術(shù)。FRAM在半導(dǎo)體市場上已經(jīng)得到了商業(yè)驗(yàn)證，F(xiàn)RAM存儲器產(chǎn)品已成功應(yīng)用在汽車中。
 
1.  FRAM的優(yōu)勢：
 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長，F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
 
2.  FRAM的劣勢：
 
FRAM的制造成本高，價格比EEPROM、FLASH更加昂貴，儲存的空間更小。
 
由于目前EEPROM和FLASH經(jīng)過多年的技術(shù)積淀和積累，無論是技術(shù)還是市場的認(rèn)可度都非常高，且價格低廉。FRAM作為新型存儲器之一，F(xiàn)RAM的技術(shù)發(fā)展的路徑尚不確定，未來替代EEPROM會經(jīng)歷一個漫長的過程，將來也可能是其他新型存儲器，如相變存儲器PCM、磁存儲器MRAM、電阻存儲器ReRAM、碳納米管存儲器NRAM取代現(xiàn)有的存儲器。
 
雖然目前富士通半導(dǎo)體等公司正在大力推廣FRAM，但是傳統(tǒng)的存儲器如EEPROM和FLASH依舊會保持很大的市場份額，未來EEPROM、FLASH的技術(shù)迭代也會提升其各方面的性能，F(xiàn)RAM與EEPROM、FLASH會保持長期共存的局面，不會短時間內(nèi)出現(xiàn)FRAM徹底替代EEPROM、閃存Flash的情況。
 
建議改類型的項(xiàng)目方提供下游客戶的產(chǎn)品中必須用到FRAM的情形，以及其他可替代的存儲器，并說明與日本富士通半導(dǎo)體和英飛凌的FRAM的產(chǎn)品性能優(yōu)勢或成本對比，是否已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)以及良率如何，由此來綜合評估該類型項(xiàng)目的FRAM產(chǎn)品的技術(shù)壁壘和未來市場銷售情況。