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Vishay推出采用先進(jìn)Power DFN系列DFN3820A封裝的額定電流高達(dá)4 A的標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新系列汽車級(jí)表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)整流器---2 A SE20Nx、3 A SE30Nx和4 A SE40Nx,皆為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的薄型可潤(rùn)濕側(cè)翼DFN3820A封裝器件。SE20Nx、SE30Nx和SE40Nx反向電壓分別為200 V、400 V和600 V,可為商業(yè)、工業(yè)和汽車應(yīng)用電源線路極性保護(hù)和軌到軌保護(hù),提供節(jié)省空間的高效解決方案。日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power
- 關(guān)鍵字: Vishay Power DFN 標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器
富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的最新4Mbit FRAM
- 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號(hào)為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平,運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶提供評(píng)測(cè)版樣品。這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,在125℃高溫環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù),工作電流低,是工業(yè)機(jī)器人和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等汽車應(yīng)用的最佳選擇。FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,近年來(lái)廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無(wú)人機(jī)。自去年發(fā)布以來(lái),2Mbit FRAM M
- 關(guān)鍵字: FRAM DFN ADAS
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場(chǎng)
- MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度,等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后,將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái),才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放,如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能,漲價(jià)仍會(huì)持續(xù),只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn),擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍,每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。 MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字: MOSFET DFN
凌力爾特公司推出具高達(dá)60V 輸入瞬態(tài)保護(hù)的1A、36V 輸入降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器LT3682
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: DFN-14 LT3682 LinearTechnologyCorporation
DFN和QFN封裝板級(jí)應(yīng)用手冊(cè)
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- 關(guān)鍵字: ONSemiconductor公司 DFN QFN
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