國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭沖科創(chuàng)板！供貨中芯華虹長(zhǎng)江存儲(chǔ)，營(yíng)收三年漲514%

作者 |  高歌
編輯 |  心緣
芯東西7月13日?qǐng)?bào)道，昨日，半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拓荊科技”）申報(bào)科創(chuàng)板IPO已獲受理。拓荊科技主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)系列。目前拓荊科技的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)的28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產(chǎn)線，并開始了10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。

在半導(dǎo)體制程中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成薄膜而加以使用，這種薄膜形成的過程一般稱為薄膜沉積。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備和光刻機(jī)、刻蝕機(jī)一樣，是芯片制造的三大主設(shè)備。2018年-2020年，拓荊科技營(yíng)收增長(zhǎng)較快，從7064.4萬元增長(zhǎng)至4.36億元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)148.32%。本次IPO拓荊科技計(jì)劃募資10億元，計(jì)劃分別用于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化和補(bǔ)充流動(dòng)資金4個(gè)項(xiàng)目。

國(guó)家集成電路基金為拓荊科技第一大股東，所占股份比例為26.48%。由于最近2年內(nèi)，拓荊科技第一大股東所持股權(quán)比例不足控股，其他股東持股比例相對(duì)分散，所以拓荊科技不存在控股股東。2019年1月1日至今，拓荊科技無實(shí)際控制人。

2019年?duì)I收增長(zhǎng)255%，中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主要客戶

報(bào)告期內(nèi)，2018年-2020年拓荊科技營(yíng)業(yè)收入分別為7064.40萬元、2.51億元和4.36億元，2021年第一季度其營(yíng)收為5774.10萬元。2019年和2020年拓荊科技營(yíng)收較上年同期增幅分別為255.66%和73.38%。凈利潤(rùn)方面，拓荊科技至今仍在持續(xù)虧損，但虧損金額有所減少。2018年-2020年拓荊科技凈利潤(rùn)分別為-1.03億元、-1936.64萬元和-1087.57萬元，2021年第一季度凈利潤(rùn)為-944.59萬元。報(bào)告期內(nèi)，拓荊科技2018年-2021年第一季度各期研發(fā)費(fèi)用分別為1.08億元、7431.87萬元、1.23億元和2714.86萬元，占各期營(yíng)業(yè)收入的比例分別為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。較大的研發(fā)投入是拓荊科技虧損的主要原因之一。

拓荊科技產(chǎn)品主要分為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)系列。報(bào)告期內(nèi)PECVD設(shè)備收入占總營(yíng)收比例一直超過75%，業(yè)務(wù)收入增速也較快，是拓荊科技的主要收入來源。2018年、2019年、2020年和2021年第一季度PECVD設(shè)備收入占拓荊科技總營(yíng)收比例分別為77.98%、100%、97.55%和100%。另外兩項(xiàng)業(yè)務(wù)仍處于市場(chǎng)開拓階段，2021年第一季度2項(xiàng)業(yè)務(wù)收入為0。

從銷售情況來說，拓荊科技客戶較為集中。其PECVD設(shè)備的主要客戶有中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和重慶萬國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司；ALD設(shè)備主要客戶為上海集成電路研發(fā)中心有限公司（ICRD）；SACVD設(shè)備的主要客戶則是北京燕東微電子科技有限公司。其中，中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)從2018年至2021年第一季度一直為拓荊科技前五大客戶。

在供應(yīng)方面，拓荊科技采購(gòu)的原材料主要包括機(jī)械類、機(jī)電一體類、電氣類、氣體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和附屬設(shè)備等。報(bào)告期內(nèi)，拓荊科技前五大供應(yīng)商變動(dòng)較小，2018年至今7家廠商曾是拓荊科技的前五大供應(yīng)商。

產(chǎn)品總體性能已達(dá)國(guó)際同類水平，研發(fā)人員占比超4成

從市場(chǎng)上來看，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)主要由美國(guó)應(yīng)用材料、美國(guó)泛林半導(dǎo)體、日本東京電子、荷蘭先晶半導(dǎo)體等企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。招股書顯示，2019年，在全球化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備市場(chǎng)中，應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子的市場(chǎng)占有率分別為30%、21%和19%；在ALD設(shè)備全球市場(chǎng)中，東京電子（TEL）、先晶半導(dǎo)體（ASMI）的市場(chǎng)占有率分別為31%和29%。

相比于上述公司，拓荊科技在營(yíng)收、毛利率和凈利潤(rùn)等盈利指標(biāo)上存在較大差距，在融資渠道和研發(fā)經(jīng)費(fèi)上相對(duì)不足。此外，拓荊科技的業(yè)務(wù)收入也比較集中，相對(duì)外國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備巨頭來說企業(yè)認(rèn)知度不足，面臨一定的市場(chǎng)進(jìn)入壁壘。另一方面來看，拓荊科技已形成覆蓋20余種工藝型號(hào)的薄膜沉積設(shè)備，滿足晶圓制造產(chǎn)線多種工藝需求。其產(chǎn)品總體性能和關(guān)鍵性能參數(shù)已達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平。

這樣的產(chǎn)品性能離不開研發(fā)團(tuán)隊(duì)的努力和企業(yè)的技術(shù)積累。在研發(fā)團(tuán)隊(duì)方面，拓荊科技研發(fā)人員共有142人，占公司員工總數(shù)的43.56%。其核心技術(shù)人員有公司創(chuàng)始人兼董事姜謙、董事長(zhǎng)呂光泉、總經(jīng)理田曉明、副總經(jīng)理張孝勇、副總經(jīng)理周堅(jiān)、監(jiān)事會(huì)主席兼資深技術(shù)總監(jiān)葉五毛和產(chǎn)品部總監(jiān)寧建平等7人。其中，姜謙和田曉明擁有35年的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，呂光泉?jiǎng)t具有27年的高端半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)研發(fā)、管理經(jīng)驗(yàn)。3人都是美國(guó)國(guó)籍。

姜謙曾在美國(guó)布蘭迪斯大學(xué)獲博士學(xué)位。1982年1月至1984年6月，姜謙任麻省理工學(xué)院材料科學(xué)工程中心研究員。1984年7月，姜謙于英特爾就職，歷任工程師、研究員、項(xiàng)目經(jīng)理、部門經(jīng)理等多個(gè)職位。此后他在美國(guó)諾發(fā)、欣欣科技（沈陽(yáng)）有限公司擔(dān)任過副總裁和執(zhí)行董事職務(wù)。2010年4月至今，姜謙任職于拓荊科技。呂光泉為美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分校博士，1994年8月至1996年4月，他任美國(guó)科學(xué)基金會(huì)尖端電子材料研究中心電子材料副研究員；1996年4月至2007年7月，呂光泉就職于美國(guó)諾發(fā)，歷任高級(jí)工程師、PECVD工藝研發(fā)部經(jīng)理、項(xiàng)目主任兼工藝研發(fā)高級(jí)經(jīng)理、ALD技術(shù)高級(jí)經(jīng)理；2007年7月至2014年8月，他就職于德國(guó)愛思強(qiáng)公司。2014年9月至今，呂光泉于拓荊科技任職。田曉明則有美國(guó)東北大學(xué)電子工程學(xué)碩士和新加坡南洋理工大學(xué)工商管理碩士學(xué)位。1991年9月至1994年12月，田曉明任美國(guó)Codi Semiconductor,Inc.工藝開發(fā)經(jīng)理；1994年12月至2008年10月，他就職于泛林半導(dǎo)體，擔(dān)任過資深工藝工程師、資深工藝研發(fā)經(jīng)理、資深大客戶經(jīng)理、中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)等職位；2008年10月至2018年2月，田曉明為尼康精機(jī)（上海）有限公司資深副總裁；此后，田曉明就職于拓荊科技。技術(shù)積累方面，拓荊科技，在機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)、傳動(dòng)模塊、反應(yīng)腔體、關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件、氣路、溫度控制系統(tǒng)等方面，形成了一系列自研設(shè)計(jì)，構(gòu)建了較為完善的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。截至招股書簽署日，拓荊科技累計(jì)已獲授權(quán)的專利167項(xiàng)，其中發(fā)明專利共計(jì)86項(xiàng)。
大基金為第一大股東，中微董事長(zhǎng)尹志堯任董事

根據(jù)招股書，本茨發(fā)行前拓荊科技的前三大股東分別為國(guó)家集成電路基金、國(guó)投上海和中微半導(dǎo)體，其所持股份比例分別為26.48%、18.23%和11.20%。中微半導(dǎo)體也提名了其董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯作為拓荊科技董事。其余持股超過5%的股東還有嘉興君勵(lì)和潤(rùn)揚(yáng)嘉禾，持股比例分別為7.39%和6.57%。

結(jié)語(yǔ)：收入來源較為單一，盈利周期仍不確定

在新建晶圓廠中，薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的關(guān)鍵一環(huán)，其投資規(guī)模占晶圓制造設(shè)備總投資的25%左右。當(dāng)前，全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)份額被應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子等行業(yè)巨頭所占據(jù)。拓荊科技作為我國(guó)薄膜沉積設(shè)備頭部廠商之一，基本上代表了我國(guó)PECVD等產(chǎn)品的水平。其IPO如果能夠成功，對(duì)我國(guó)薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)業(yè)技術(shù)實(shí)力有著積極影響。但值得注意的是，拓荊科技當(dāng)前收入較為依賴PECVD設(shè)備，ALD、SACVD設(shè)備處于市場(chǎng)開拓階段，盈利周期有著不確定性。