臺(tái)積電已開(kāi)始試產(chǎn)3nm芯片，英特爾希望有更多產(chǎn)能配額

此前就有媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）將在2022年下半年量產(chǎn)N3制程節(jié)點(diǎn)，并計(jì)劃推出名為N3E的增強(qiáng)型3nm工藝，量產(chǎn)時(shí)間為2023年下半年。相比之下，三星在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，并在2022年上半年量產(chǎn)第一代3nm工藝。

臺(tái)積電總裁魏哲家曾表示，N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，是為客戶提供最佳的技術(shù)成熟度、性能和成本。在臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)推出的時(shí)候，將成為業(yè)界最先進(jìn)的PPA和晶體管技術(shù)，N3制程節(jié)點(diǎn)將成為臺(tái)積電另一個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)且持久的制程節(jié)點(diǎn)。N3E作為N3的擴(kuò)展，將擁有更好的性能和功耗表現(xiàn)。

據(jù)TechTaiwan報(bào)道，臺(tái)積電近期已經(jīng)在Fab 18中啟動(dòng)了3nm芯片的試生產(chǎn)，按照時(shí)間表，第一批3nm芯片將會(huì)在2023年初出貨。臺(tái)積電N3制程節(jié)點(diǎn)專為智能手機(jī)和高性能計(jì)算（HPC）芯片而設(shè)計(jì)，在N5制程節(jié)點(diǎn)上進(jìn)一步應(yīng)用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，光罩層數(shù)將超過(guò)20層。臺(tái)積電承諾N3工藝相比N5工藝，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。

早有傳聞?dòng)⑻貭柡吞O果已率先獲得臺(tái)積電N3制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能，前者會(huì)將該工藝使用在2023年發(fā)布的Meteor Lake上，制造GPU模塊。據(jù)DigiTimes報(bào)道，臺(tái)積電第一批N3制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能不到6萬(wàn)片晶圓，到2023年上半年，月產(chǎn)量將提高到4萬(wàn)片晶圓以上，產(chǎn)能非常有限。近期蘋果和英特爾正在爭(zhēng)奪有限的N3制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能，英特爾高層人員甚至親自到中國(guó)臺(tái)灣與臺(tái)積電管理層見(jiàn)面，希望進(jìn)一步拉近關(guān)系爭(zhēng)取更多產(chǎn)能配額，并商談N2制程節(jié)點(diǎn)的合作。