博客專欄

EEPW首頁 > 博客 > MLCC電容燒損失效分析

MLCC電容燒損失效分析

發(fā)布人:新陽檢測(cè) 時(shí)間:2022-06-10 來源:工程師 發(fā)布文章


1.失效背景

馬達(dá)產(chǎn)品在客戶端運(yùn)行一段時(shí)間后,發(fā)生功能失效。經(jīng)過初步檢測(cè),判斷該問題是組件中的MLCC電容發(fā)生失效導(dǎo)致的。

2.檢測(cè)分析2.1失效樣品的外觀分析

電容有明顯開裂現(xiàn)象,但電容表面整體未見燒損碳化痕跡。

2.2電容切片斷面的分析

經(jīng)過邊研磨邊觀察的方式分析得出,在電容電極兩端均檢出有約45°的裂紋。同時(shí),在PCB層有燒損與碳化的現(xiàn)象。并且電容內(nèi)部電極之間有打火燒損異常。

研磨斷面1圖示

電容研磨至陶瓷層剛?cè)サ舻奈恢脮r(shí)觀察,燒損主要集中于PCB的PAD位置,電容面未見明顯燒灼異常,電容兩端有明顯的約45°裂紋異常。

研磨斷面2圖示

電容研磨至約1/3位置時(shí)觀察, PCB燒黑碳化、分層,電容面未見明顯燒灼異常,電容兩端有明顯的約45°裂紋異常,且呈現(xiàn)碎裂狀態(tài)。

研磨斷面3圖示

電容研磨至約1/2位置時(shí)觀察, PCB燒黑碳化、分層,電容面有明顯開裂,燒損區(qū)域,電容兩端有明顯的約45°裂紋異常,且呈現(xiàn)碎裂狀態(tài)。

電容斷面燒損區(qū)域局部圖

根據(jù)電容斷面燒損區(qū)域局部圖顯示,說明層間發(fā)生了短路異常。


燒損區(qū)域SEM分析圖

根據(jù)燒損區(qū)域SEM分析圖顯示,說明異常位置存在開裂狀態(tài)。

3.失效機(jī)理分析3.1不良分析
  • 電容失效特征:

①電容端電極位置從外向內(nèi)貫穿性45°裂紋,且裂紋延伸至內(nèi)電極層;

②電容內(nèi)部燒損位置,有貫穿性裂紋;

③PCB基材位置受到了高熱影響,發(fā)生燒損、碳化、分層,電容沒有比較嚴(yán)重的爆裂及燒灼點(diǎn)。

  • 失效原因分析:

①電容端電極45°裂紋,是典型的應(yīng)力裂紋。且該裂紋從外向內(nèi)貫穿,電容燒損點(diǎn)呈現(xiàn)非聚集性、非點(diǎn)擴(kuò)散性特征。因此,判斷該電容先前已有裂紋產(chǎn)生。

②裂紋在后續(xù)的過程中延展、貫穿,導(dǎo)致內(nèi)部電極層錯(cuò)位短路,形成電阻效應(yīng),產(chǎn)生高熱,使PCB基材高溫碳化、分層。

③電容內(nèi)部在電流作用下發(fā)生燒損,造成內(nèi)部電極片層產(chǎn)生裂紋及燒損點(diǎn)。

3.2改善建議

針對(duì)電容失效機(jī)理的分析,電容應(yīng)力裂紋可能是失效的根本原因。因此,建議對(duì)電容可能受到的應(yīng)力進(jìn)行工藝分析(應(yīng)力測(cè)試),包含PCB分割、組裝等。

4.總結(jié)

MLCC電容燒損失效是一種綜合性因素導(dǎo)致的結(jié)果,需要從發(fā)生本質(zhì)上,結(jié)合MLCC電容結(jié)構(gòu)特征,進(jìn)行綜合性的分析。本文借用電容燒損一案,通過電容斷面的失效特征分析,判斷失效機(jī)理,為大家提供一種可以借鑒的分析思路和方法。

想了解更多關(guān)于技術(shù)方面的知識(shí),歡迎關(guān)注“新陽檢測(cè)中心”公眾號(hào)。手機(jī)電話圖.jpg

*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。




相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉