臺(tái)積電3nm太貴只有蘋(píng)果買(mǎi)？“降價(jià)促銷”正在路上
發(fā)布人：科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)
時(shí)間：2023-01-15
來(lái)源：工程師
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N3制程中，EUV微影曝光流程多達(dá)25層，而單臺(tái)EUV微影曝光設(shè)備造價(jià)最高達(dá)2億美元。因此N3制程單片晶圓生產(chǎn)費(fèi)用可能高達(dá)20000美元，較N5制程高出20%。
為刺激客戶采用興趣，臺(tái)積電已在謀劃“降價(jià)大促銷”——據(jù)Tom’s Hardware報(bào)道，臺(tái)積電正在考慮降低3nm制程系列技術(shù)報(bào)價(jià)。
臺(tái)積電3nm制程系列包含多個(gè)細(xì)分制程技術(shù)，包括N3、N3E、N3P、N3X等。
其中，還未面世的新一代N3E制程成本較N3制程來(lái)得低，這一情況也已成為市場(chǎng)共識(shí)。
有市場(chǎng)分析師指出，N3制程中，EUV微影曝光流程多達(dá)25層，而如今單臺(tái)EUV微影曝光設(shè)備造價(jià)即高達(dá)1.5億-2億美元。因此，N3技術(shù)極為昂貴，而臺(tái)積電為攤平設(shè)備采購(gòu)成本，不得不對(duì)N3及后續(xù)制程收取高昂費(fèi)用。
此前有消息稱，使用臺(tái)積電N3制程技術(shù)后，單片晶圓生產(chǎn)費(fèi)用可能高達(dá)20000美元，較N5制程晶圓單價(jià)（16000美元）高出20%。
正如上文所述，臺(tái)積電正考慮降低3nm系列制程報(bào)價(jià)，尤其是N3E制程。
為何是N3E？該制程最多僅需使用19層EUV微影曝光流程，制造復(fù)雜度略低，其成本也較低。因此，臺(tái)積電可在不損害獲利能力的情況下，進(jìn)一步降低N3E制程的生產(chǎn)報(bào)價(jià)。
分析師預(yù)計(jì)，2023年下半年，N3制程產(chǎn)能便將迎來(lái)“有意義的”提升，不過(guò)，屆時(shí)優(yōu)化版本N3E制程也將準(zhǔn)備就緒。
因此，高性能運(yùn)算、智能手機(jī)、定制芯片等方面的主要客戶（包括AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、MRVL、AVGO、GUC等），可能將留在原有的N4或N5（4/5nm）制程節(jié)點(diǎn)，或選擇成本較低的N3E來(lái)作為首次在3nm制程上的投產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。
另外，根據(jù)AMD此前公開(kāi)的計(jì)劃來(lái)看，其2024年部分采用Zen 5設(shè)計(jì)的產(chǎn)品將采用3nm制程生產(chǎn)；英偉達(dá)也計(jì)劃在其下一代Blackwell架構(gòu)GPU中，采用3nm制程技術(shù)。
在3nm系列制程技術(shù)成本高昂的情況下，客戶對(duì)該技術(shù)的采用或?qū)⒕窒抻谀承┨囟óa(chǎn)品。而一旦臺(tái)積電愿意降價(jià)，客戶未來(lái)或?qū)⒅匦驴紤]3nm系列制程采用策略。
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