了解這些 就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應用，如開關(guān)電源、牽引電機控制和感應加熱。

圖1. IGBT 電路圖符號

01 IGBT特點

IGBT具有柵極、集電極、****極3個引腳。柵極與MOSFET相同，集電極和****極與雙極晶體管相同。IGBT與MOSFET一樣通過電壓控制端口，在N溝道型的情況下，對于****極而言，在柵極施加正電壓時，集電極-****極導通，流過集電極電流。我們將另行介紹其工作和驅(qū)動方法。

IGBT是結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管優(yōu)點的晶體管。MOSFET由于柵極是隔離的，因此具有輸入阻抗高、開關(guān)速度較快的優(yōu)點，但缺點是在高電壓時導通電阻較高。雙極晶體管即使在高電壓條件下導通電阻也很低，但存在輸入阻抗低和開關(guān)速度慢的缺點。通過彌補這兩種器件各自的缺點，IGBT成為一種具有高輸入阻抗、開關(guān)速度快 (IGBT開關(guān)速度比MOSFET慢，但仍比雙極晶體管快。) ，即使在高電壓條件下也能實現(xiàn)低導通電阻的晶體管?！?/p>

02 IGBT 的工作原理

當向****極施加正的集電極電壓VCE，同時向****極施加正的柵極電壓VGE時，IGBT便能導通，集電極和****極導通，集電極電流IC流過。

圖2.   IGBT近似的等效電路

IGBT的等效電路如上圖所示。當柵極-****極（G-E）和集電極-****極（C-E）通路均發(fā)生正偏置時，N溝道MOSFET導通，導致漏極電流流動。該漏極電流也流向QPNP的基極并導致IGBT導通。由于QPNP的直流電流增益（α）非常小，因此幾乎整個****極電流（IE(pnp)）都作為基極電流（IB(pnp)）流動。但部分IE(pnp)會作為集電極電流（IC(pnp)）流動。IC(pnp)無法開啟QNPN，因為它繞過了QNPN基極和****極之間插入的RBE。

因此，IGBT的幾乎所有集電極電流都通過QPNP的****極-基極通路作為N溝道MOSFET的漏極電流流動。此時，空穴從QPNP的****極注入到N通道MOSFET的高電阻漂移層。這導致漂移層的電阻率（Rd(MOS））大大降低，從而降低了導通期間的導通電阻。這種現(xiàn)象稱為電導率調(diào)制。

關(guān)閉柵極（G）信號會導致N溝道MOSFET關(guān)斷，從而導致IGBT關(guān)斷。

03 安全工作區(qū)

在IGBT的規(guī)格書中，可能會看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如ROHM的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個安全工作區(qū)是指什么？

圖3. Rohm的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對其所在區(qū)域?qū)嵤囟冉殿~。安全工作區(qū)分為正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA, Forward Bias Safe Operating Area）和反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Area）。

3.1 正向偏置安全工作區(qū)

正向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT導通期間的可用電流和電壓條件。

圖4.  RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

上圖是RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū)，可以根據(jù)具體情況分為4個領(lǐng)域，如下所述:

■ 受集電極最大額定電流限制的區(qū)域

■ 受集電極耗散限制的區(qū)域

■ 受二次擊穿限制的區(qū)域 (該區(qū)域會因器件設(shè)計而有所不同)

■ 受集電極-****極最大額定電壓限制的區(qū)域

3.2 反向偏置安全工作區(qū)

反向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT關(guān)斷期間的可用電流和電壓條件。

圖5.   RGS30TSX2DHR 的反向偏置安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

上圖是RGS30TSX2DHR 的反向偏置SOA可以簡單分為2個有限區(qū)域，如下所述:

■ 受集電極最大額定電流值限制的區(qū)域

■ 受集電極-****極最大額定電壓限制的區(qū)域。

請注意，當設(shè)計的 VCE－IC工作軌跡偏離產(chǎn)品本身安全工作區(qū)時，產(chǎn)品可能會發(fā)生出現(xiàn)意外故障。因此，在設(shè)計電路時，在確定與擊穿容限相關(guān)的具體特性和電路常數(shù)時，必須密切注意耗散和其他性能問題。例如，反向偏置安全工作區(qū)具有溫度特性（在高溫下劣化），VCE－IC的工作軌跡根據(jù)柵極電阻Rg和柵極電壓VGE而變化。

因此，有必要在了解工作環(huán)境和關(guān)斷時的最小柵極電阻值后，才進行Rg和 VGE設(shè)計。

04 不同類型IGBT 產(chǎn)品

市場上有不同類型的 IGBT 產(chǎn)品，我們可以根據(jù)實際應用情況、安裝類型（例如通孔、面板安裝或表面安裝）來挑選。

IGBT單管

將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。

圖6. IXYS 的IXYH16N170C

IGBT模塊

由IGBT與二極管通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品 。封裝后的IGBT模塊可以直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。

圖7.Infineon的 FZ800R12KE3

圖8. Infineon 的 IM241-L6T2B 智能功率模塊 (IPM)

總結(jié)

IGBT 是一種功率半導體器件，用于電子開關(guān)，控制和改變電流的大小頻率，是電能轉(zhuǎn)換及應用的核心芯片。由于篇幅有限，IGBT 涉及的技術(shù)內(nèi)容、應用領(lǐng)域很廣，所以歡迎大家在文末交流分享，一起討論學習。

小編的話

歷經(jīng)多年，作為功率器件的重要一脈，IGBT在高壓應用中的地位至今還沒有其他器件可以取代，在包括新能源逆變器、汽車和儲能等應用中更是方興未艾。本文的擇要介紹為之前對IGBT缺乏了解的小伙伴們提供了一個窗口和基礎(chǔ)，也打開了一個交流討論的契機。您對IGBT還有哪些方面的疑問？或者對相關(guān)內(nèi)容有哪些想法和補充？