臺積電1億美元入股Arm！4.3億美元拿下EUV掩模寫入設(shè)備商10%股權(quán)

9月13日消息，晶圓代工大廠臺積電于12日開臨時董事會，確定將以不超過1億美元（約新臺幣31.95億元）的額度，認購日本軟銀集團旗下的半導(dǎo)體IP大廠Arm 的普通股股票。至于認購價格，臺積電表示將依Arm首次公開發(fā)行最終價格而定。

根據(jù)先前外媒的報導(dǎo)，針對Arm IPO，當(dāng)前市場上的認購股分遠遠超過公開發(fā)行股數(shù)接近6倍。由于IPO獲得超額認購，Arm正在討論調(diào)高定價區(qū)間的可能性，希望將市值推升至545億美元以上。這也使得Arm IPO將成為近兩年來美國最大的IPO計劃，其中包括臺積電、蘋果、英偉達、三星及AMD等科技大廠都爭相投資，積極成為Arm的戰(zhàn)略投資者。

日前，臺積電董事長劉德音在SEMICON Taiwan會場上被問到此事時就曾經(jīng)表示，還在評價中，預(yù)計本周就會決定。而因為Arm是臺積電半導(dǎo)體生態(tài)系重要的一環(huán)，臺積電也希望Arm能公開上市成功。

另外，臺積電在臨時董事會上也核準，以不超過4.328億美元（約新臺幣138.5億元）額度內(nèi)，自英特爾手中取得奧地利半導(dǎo)體設(shè)備商IMS的10%股權(quán)。

資料顯示，IMS Nanofabrication 于 1985 年在維也納成立。他們進行了激動人心的研究，但成立后的幾十年沒有產(chǎn)生出有影響力的產(chǎn)品。直到2009 年，由于他們的多束直寫可編程電子束系統(tǒng)的前景廣闊，他們獲得了英特爾的投資。最終，英特爾甚至收購了該公司，因為他們在 2016 年發(fā)布了第一款商用多光束掩?？啼洐C。該產(chǎn)品及其衍生產(chǎn)品適用于 7nm 以上的所有工藝節(jié)點。

EUV 光刻技術(shù)被視為先進半導(dǎo)體制造的最大瓶頸，但這些價值超過 1.5 億美元的工具需要有高精度的光掩模來進行配合。光掩模是光刻工具對芯片層進行圖案化所需的物理模板。IMS 的多光束掩模寫入器則是制造出高精度光掩模的關(guān)鍵設(shè)備。就像在印刷機或木版印刷時代一樣，主印刷機可以精心創(chuàng)建所有印刷品的基本設(shè)計；掩模寫入器幫助創(chuàng)建掩模組，然后通過光刻機將其復(fù)刻在芯片上。

多光束掩模寫入器實際上比 EUV 光刻工具更精確和準確，但速度非常慢，這是它們僅用于創(chuàng)建掩模組的一個重要原因。IMS 與 NuFlare（東芝旗下）是競爭對手，但 東芝的工具不太精確，而且速度較慢。此外，他們的多光束掩模寫入器在 IMS多年后才開始進入市場。市場上一度超過 98% 的生產(chǎn) EUV 掩模是使用IMS的多光束掩模寫入器制造的。

每個單獨的芯片設(shè)計都帶有一組掩模，在 3nm 級節(jié)點上的成本可能高達 5000 萬美元。新設(shè)計不僅需要新掩模，現(xiàn)有設(shè)計也需要新掩膜。隨著時間的推移，掩膜開始出現(xiàn)缺陷；因此，它們需要修理，或者必須制造新的來替換老化的。

如果沒有IMS的掩模寫入器，所有 EUV 工藝技術(shù)都將陷入停頓。EUV 用于 7nm 及以下的所有尖端工藝節(jié)點。自 7nm 以來，三星的所有邏輯工藝技術(shù)也都使用了 EUV。三星還在其最新的兩代 DRAM 工藝技術(shù)中使用了 EUV。此外，SK 海力士在其最新一代的 DRAM 工藝技術(shù)中使用了 EUV。美光計劃將 EUV 引入DRAM。這3家公司占DRAM產(chǎn)量的90%以上。 雖然領(lǐng)先的邏輯至關(guān)重要，但每一種電子產(chǎn)品都使用 DRAM，因此不應(yīng)低估 IMS和奧地利在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上的重要性。

針對臺積電購買英特爾手中的IMS持股，市場人士表示，近來英特爾持續(xù)處分手中的IMS持股，除針對公司對現(xiàn)金的需求之外，就臺積電方面來看，也能借此保障關(guān)鍵供應(yīng)鏈經(jīng)營權(quán)與營運的穩(wěn)定性。

編輯：芯智訊-林子