英特爾CEO：美日荷聯(lián)合限制下，中國芯片制造技術(shù)將落后10年！

1月19日消息，據(jù)外媒報道，在2024年度“達沃斯世界經(jīng)濟論壇”上，英特爾CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 表示，在美日荷的聯(lián)合限制之下，中國與全球頂尖晶圓廠的技術(shù)差距為10年！

在達沃斯論壇上，帕特·基辛格首先討論了全球供應(yīng)鏈的脆弱性，這一問題在COVID-19大流行期間顯露無遺。他指出，數(shù)十年來的產(chǎn)業(yè)政策使芯片制造業(yè)集中在亞洲國家，而美國目前正試圖通過《芯片與科學(xué)法案》扭轉(zhuǎn)這一趨勢。這項立法旨在提高美國的技術(shù)自給自足能力。

帕特·基辛格稱，英特爾最先進的Intel 18A制程將會很快進入制造，未來更為先進的1.5nm晶圓廠將會在德國馬德堡上線，這不僅是德國最先進的制造業(yè)，也將是世界上最先進的制造業(yè)。

在談到中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的追趕時，帕特·基辛格表示，中國的半導(dǎo)體制造業(yè)與世界頂級晶圓廠的差距約為10年，而美日荷對于半導(dǎo)體設(shè)備的限制更是阻礙了中國半導(dǎo)體制造業(yè)的追趕。

“最近我們看到了美國的政策，荷蘭的政策，日本的政策等等，它們在 10 到 7nm 范圍內(nèi)設(shè)置了一個底線，而我們正在競相突破 2nm，然后是 1nm 以下，你知道我們看不到盡頭?！迸撂亍せ粮裾f道。

中國現(xiàn)有的工具目前只能生產(chǎn) 14nm 和 7nm 芯片。而中國臺灣的臺積電、韓國的三星和美國的英特爾等公司正在準備在未來幾年內(nèi)采用更先進的工藝生產(chǎn) 3nm、2nm 甚至更精密的半導(dǎo)體。

帕特·基辛格指出：“雖然有這些限制政策存在，但是中國并不是不會繼續(xù)創(chuàng)新。但這是一個高度互聯(lián)的行業(yè)，蔡司鏡頭、ASML的光刻機、日本的化學(xué)品和電阻技術(shù)、英特爾的大規(guī)模制造技術(shù)，所有這些加在一起，我認為這是一個10年的差距，而且我認為根據(jù)今天實施的出口政策，這將是一個可持續(xù)的10年差距，我確實相信這預(yù)示著在這種環(huán)境下，各國為出口和競爭力制定的政策很好，你知道美國正在努力確保情況確實如此?！?/p>

去年，臺積電創(chuàng)始人張忠謀也曾表示，美國的制裁可能會讓臺積電暫時受益，但對此類措施的長期效力表示懷疑。他預(yù)計，制裁將使中國在芯片制造技術(shù)上落后數(shù)年。不過，他也指出，像美國這樣的國家也需要大量時間來發(fā)展自己的芯片制造能力。

美國官員樂觀地認為，美國可以在十年內(nèi)開始生產(chǎn)和封裝最先進的半導(dǎo)體。相比之下，英偉達（NVIDIA） 的首席執(zhí)行官黃仁勛則認為這一目標可能需要 10 年或 20 年的時間才能完成。

值得注意的是，英特爾準備在2月21日在美國加利福尼亞州的圣何塞舉辦其代工業(yè)務(wù)盛會“IFS Direct Connect”，屆時該公司將展示半導(dǎo)體的未來。

據(jù)介紹，此次活動將由英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 等高管以及英特爾代工服務(wù)（IFS）高級副總裁兼總經(jīng)理斯圖爾特·潘 (Stuart Pann) 等高管參加，此次活動將重點討論代工廠未來的戰(zhàn)略。屆時，英特爾可能將會公布關(guān)其半導(dǎo)體工藝發(fā)展的最新信息，例如今年即將量產(chǎn)的Intel 20A和Intel 18A。此外，英特爾預(yù)計還將分享有關(guān)該公司未來的埃米級制程工藝的一些細節(jié)。

除了介紹半導(dǎo)體制程工藝的進展之外，英特爾還計劃披露其“全球首個AI系統(tǒng)代工廠”的信息，據(jù)稱這將引領(lǐng)半導(dǎo)體的未來之路。雖然我們不知道人工智能系統(tǒng)代工廠指的是什么，但它很可能是一個深受人工智能能力影響的工廠系統(tǒng)。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格本人的演講主題為：“硅經(jīng)濟和人工智能系統(tǒng)鑄造廠：英特爾如何處于下一個拐點的中心”。

來源：芯智訊

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