ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨中國公司的競爭！

6月6日消息，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報(bào)告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機(jī)。

該消息推動ASML股價(jià)大漲9.52%，收盤股價(jià)1041.34美元，創(chuàng)下歷史新高，總市值突破4096.86億美元，成為了歐洲第二大市值的上市公司。

Jefferies的報(bào)告指出，ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國政府推動的芯片制造本地化策略，通過補(bǔ)貼當(dāng)?shù)氐木A廠建設(shè)，以提升自身的芯片制造能力。

雖然2024年第一季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額52.90億歐元，同比下降21%。但是Jefferies證券認(rèn)為，ASML 2024年二季度到四季度的平均訂單額可能會達(dá)到57億歐元左右，有望推動其2025年?duì)I收上探至400億歐元。ASML此前就曾將其2025年?duì)I收目標(biāo)設(shè)定在300~400億歐元。

Jefferies證券的報(bào)告還預(yù)測，臺積電預(yù)計(jì)將在2024年某個時候就會收到ASML最新的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)。

ASML的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)可以打印13.5nm的線寬，而新的High NA EUV光刻機(jī)則是可以通過打印8nm線寬來創(chuàng)建更小的晶體管，即可以用于2nm以下的制程工藝制造，并且晶圓生產(chǎn)速度已經(jīng)達(dá)到了每小時400至500片晶圓，是當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度。不過，High NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格也是相當(dāng)?shù)陌嘿F，一臺要價(jià)超過3.5億歐元。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹舉行的一場會議上就曾公開表示，ASML High NA EUV訂價(jià)太過高昂，臺積電預(yù)計(jì)于2026年下半量產(chǎn)的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻機(jī)。他說，這要看公司能取得的最佳經(jīng)濟(jì)與技術(shù)平衡而定，A16制程或許會采用、但不確定。“我喜歡這項(xiàng)技術(shù)、但不喜歡高昂的價(jià)格。”

目前最為積極引入High NA EUV光刻機(jī)則是英特爾，其是第一家訂購并完成交付安裝的晶圓制造商，目前英特爾已經(jīng)開始在其美國俄勒岡州最先進(jìn)的技術(shù)開發(fā)基地將High NA EUV光刻機(jī)用于其Intel 18A工藝的測試，以積累相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，后續(xù)將會被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

有報(bào)道稱，ASML已接獲數(shù)十臺High NA EUV光刻機(jī)的訂單，其中大部分被英特爾預(yù)定，此外三星、臺積電、SK海力士、美光也有訂購。

對于ASML所面臨的潛在競爭問題，Jefferies證券的報(bào)告稱，由于技術(shù)本身和生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性，ASML 認(rèn)為“在可預(yù)見的未來”，其在 EUV 技術(shù)領(lǐng)域不會面臨來自中國光刻設(shè)備公司 SMEE或HW的競爭。

根據(jù)資料顯示，ASML先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)就擁有超過10萬個零件，涉及到上游5000多家供應(yīng)商。這些零部件極為復(fù)雜，對誤差和穩(wěn)定性的要求極高，并且這些零件幾乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先進(jìn)技術(shù)，85%的零部件是和供應(yīng)鏈共同研發(fā)，甚至一些接口都要工程師用高精度機(jī)械進(jìn)行打磨，尺寸調(diào)整次數(shù)更可能高達(dá)百萬次以上。

可以說，EUV光刻機(jī)已經(jīng)是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，其中包括上萬種精密零部件，而且結(jié)合了光學(xué)、流體力學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、自動化、高分子物理與化學(xué)、軟件、機(jī)械、圖像識別等多個領(lǐng)域的尖端知識。目前全世界沒有一家企業(yè)，甚至可以說沒有一個國家可以獨(dú)立完成EUV光刻機(jī)的完整制造。

相對于標(biāo)準(zhǔn)的0.33 NA（數(shù)值孔徑） EUV光刻機(jī)來說，配備0.55 NA透鏡的High NA EUV光刻機(jī)技術(shù)含量更高，系統(tǒng)設(shè)計(jì)也更為復(fù)雜。比如High NA EUV光刻機(jī)會比現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因?yàn)楣庠磫栴}，ASML甚至還使用液冷銅線為其供電。High NA EUV光刻機(jī)其各類組件需要250個單獨(dú)的板條箱中運(yùn)輸，其中包括13 個大型集裝箱，組裝后的High-NA EUV光刻機(jī)將比雙層卡車還要大。

目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商，雖然老牌的光刻機(jī)廠商——日本的尼康和佳能仍在發(fā)展光刻機(jī)業(yè)務(wù)，但是也僅止步于DUV，在EUV方面依然是無能為力。

不過，目前High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展已經(jīng)接近當(dāng)前技術(shù)的極限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)理論上是可以實(shí)現(xiàn)，但是會面臨更多更復(fù)雜的技術(shù)問題，同時成本也更為驚人。

ASML的前首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能將是最后一個NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過數(shù)十年的光刻技術(shù)創(chuàng)新，我們可能會走到當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路的盡頭。即使Hyper NA能夠?qū)崿F(xiàn)，但是如果采用Hyper NA技術(shù)的制造成本增長速度和目前High NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟(jì)層面幾乎是不可行的。

顯然，在ASML現(xiàn)有光刻機(jī)技術(shù)路線即將走向盡頭的背景之下，對于中國廠商來說在現(xiàn)有技術(shù)路線對于ASML之間的差距可能將不會繼續(xù)加速擴(kuò)大，這有利于廠商的技術(shù)追趕。

但是在EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且該技術(shù)路線前景灰暗的情況下，中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨，還是考慮投入資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？比如佳能去年就推出了面向先進(jìn)制程制造的納米壓印設(shè)備，但該技術(shù)路線能否成功還有待市場檢驗(yàn)。

編輯：芯智訊-浪客劍