存儲芯片還在漲價，除了三巨頭誰還能賺到錢？

在經歷了產能過剩、大幅降價、大廠減產、價格回升后，存儲芯片正逐漸回到正常的供需區(qū)間。

自去年10月SK海力士官宣DRAM、NAND Flash芯片合約價上調10%-20%后，今年1月三星、美光也表示，在第一季度要將DRAM芯片的價格調漲15%-20%。而到今天，各大廠仍在向客戶發(fā)漲價函。

TechInsights統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至2024年2月16日的一周，DRAM銷售額同比增長79%。預計2024全年，全球DRAM芯片銷售額將增長46%，達到780億美元。可見，市場向好的趨勢已非常明確。

自去年下半年開始，全球存儲芯片市場經歷了一系列積極變化，在一定程度上反映了行業(yè)整體的復蘇態(tài)勢和對先進技術需求的增長。在這一背景下，多家企業(yè)宣布了價格調整和產能擴張計劃，顯示出對市場前景向好的預期。

其中，三星電子作為行業(yè)的領頭羊，計劃在2024年第三季度對其DRAM和NAND Flash產品實施價格上調，預計漲幅在15%到20%之間，這一決策已經得到了主要客戶的認可。這也是三星在2024年第三次宣布漲價，此舉一定程度上提振了整個行業(yè)的信心。

不僅如此，美光科技也傳來喜報，其第三財季的營收超出市場預期，達到68.1億美元。另一方面，市場中企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求激增，三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度滿負荷運行NAND生產線。

與此同時，存儲模組、主控、封測廠也都傳來了好消息，比如佰維存儲、福懋、德明利等均報告了業(yè)績的顯著提升。佰維存儲預計上半年凈利潤在2.8至3.3億元之間，實現(xiàn)了同比扭虧為盈的佳績。而福懋科技則在存儲芯片封測領域持續(xù)擴產，據(jù)悉，其累計今年前五個月營收為39.79億元，較去年同期成長16.69％。德明利則在第一季度就完成8.11億元營收同比增長168.52%，凈利潤1.95億元同比扭虧為盈。

更值得一提的是，鎧俠在經歷了長時間的市場調整后，于第四財季達成了31%的營收增長，不僅實現(xiàn)了六個季度以來的首次盈利，還停止了長達20個月的減產措施。

通過以上積極的行業(yè)發(fā)展動態(tài)，不難看出存儲芯片市場正在加速回暖，同時也為企業(yè)帶來了新的增長機遇。業(yè)內人士預計，這波向好的行情至少將持續(xù)到2025年上半年。

在AI的推動下，HBM（高帶寬存儲器）技術因其在數(shù)據(jù)傳輸速度和容量方面的優(yōu)勢，成為存儲芯片市場的新星。尤其高性能計算和數(shù)據(jù)中心領域，其需求正迅速增長。目前SK海力士、三星、美光三大存儲廠商的產能已經被訂滿。

其中，三星預計2024年HBM產能將增至去年的2.9倍。三星公司執(zhí)行副總裁兼DRAM產品和技術主管Hwang Sang-joong表示，他們計劃在2024年上半年大批量生產12層的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5。而美光科技CEO Sanjay Mehrotra則表示，其高性能存儲器（HBM）產品已全部售罄，且2025年的大部分產能也已被預訂。

不過，除了HBM之外，其他的存儲芯片產品也迎來了市場回暖，比如NAND Flash。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2024年第一季度，全球NAND Flash產業(yè)的營收環(huán)比增長了28.1%，顯示出市場的強勁動力。

2024Q1全球NAND Flash品牌廠商營收情況（圖源：TrendForce）

與此同時，供應短缺的情況也開始出現(xiàn)。由于數(shù)據(jù)中心對大容量SSD的需求激增，可能導致下半年NAND供應緊張。據(jù)了解，預計在第三季度，企業(yè)級NAND芯片的價格將上漲10%左右，市場將有可能出現(xiàn)供不應求的情況。

另一方面，通用型DRAM也面臨著供應短缺的問題。隨著業(yè)界對HBM的大量投資，通用型DRAM的產能開始被占用，在未來將可能出現(xiàn)缺貨情況。并且，隨著智能手機和PC制造商推動AI功能的普及，通用型DRAM的需求或將進一步提升。業(yè)界普遍認為，終端設備AI能力的普及，將是推動通用型DRAM市場增長的關鍵因素。

如今，在AI技術的推動下，存儲芯片市場正經歷著快速的變化，HBM、NAND Flash和通用型DRAM等產品都在受到市場的青睞。而未來，這一趨勢將持續(xù)很長時間，也給布局AI產品的存儲廠商帶來了機會。

隨著AI技術的飛速發(fā)展，一系列B端應用如安防、金融等都開始提出大模型的需求，而在運力、算力、存力三步走的AI時代，存儲芯片廠商也正積極布局AI相關產品，以適應這一新興市場的需求。

以華邦電子為例，其推出的CUBE產品，就以卓越的性能和專為端側AI設計的特性，成為了市場的焦點，被稱之為“小號HBM”。據(jù)介紹，CUBE的帶寬可到達16GB/s至256GB/s，相當于HBM2, 或32個LP-DDR4x4266Mbpsx16 IO。

目前，隨著端側AI應用場景的大幅擴展，從智能監(jiān)控、自動駕駛到智能家居，都對存儲性能提出了更高要求。而這也帶來了算力下沉的新趨勢，即云端的算力下放到邊緣端，通過在邊緣端做推理或者少量訓練，保證用戶的敏感數(shù)據(jù)和信息安全。

華邦電子線下活動

不過在此類場景下，并非每個應用都需要HBM這樣多層堆疊、極高性能的產品。在這樣的背景下，華邦電子的CUBE便能以較低的成本發(fā)揮極大價值。據(jù)了解，CUBE擁有四大優(yōu)勢：包括低功耗、超高帶寬、極小尺寸、高經濟效益。尤其對于客戶而言，可以有效為其降低成本，因為理想情況下，CUBE可以幫助一些傳感器實現(xiàn)數(shù)據(jù)預處理，降低主控芯片的算力需求。

當然，在AI浪潮下，除了華邦電子外，各大存儲芯片公司都帶來新產品或新布局。

以國內廠商為例，比如江波龍自研的CXL 2.0內存，通過提供彈性拓展的方式，可以適應現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求；也比如佰維存儲擬定增募資建設的晶圓級先進封測項目，可以構建HBM實現(xiàn)的封裝技術基礎；而主控芯片廠商也不甘落后，慧榮科技面向AI手機市場，發(fā)布了全新的UFS 4.0主控芯片SM2756，英韌科技則面向AI PC發(fā)布了PCIe Gen5主控芯片YRS820。

從HBM的供不應求，到NAND Flash和通用型DRAM的市場回暖，存儲芯片市場已呈現(xiàn)出多點開花的局面。各大廠商的漲價函、產能擴張計劃、以及業(yè)績的顯著提升，都是市場復蘇的有力證明。

同時，供應鏈上下游企業(yè)的積極變化，從存儲模組、主控、封測廠到終端設備制造商，整個產業(yè)鏈都在為AI時代的到來做好準備。

展望未來，AI技術與存儲芯片的深度融合將是大勢所趨。存儲芯片廠商必須緊跟AI的風口，才能上升周期中尋找新的增量。同時，在AI的推動下，存儲芯片將迎來更加廣闊的發(fā)展空間，行業(yè)即將迎來一個新的黃金時代。