我國存儲市場春又來

存儲行業(yè)被稱為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“風(fēng)向標(biāo)”。邁過了2022年至2023年的行業(yè)低谷，從去年年末開始至今年二季度，存儲國產(chǎn)存儲廠商財(cái)報(bào)逐漸有了起色。

受益于AI浪潮，以及消費(fèi)電子、汽車、工控等領(lǐng)域驅(qū)動，今年多家存儲廠商半年報(bào)數(shù)據(jù)普遍增長，新技術(shù)新產(chǎn)品陸續(xù)開出。另外，近期存儲市場動態(tài)不斷，包括兆易創(chuàng)新擬向子公司增資8億元，增加DRAM募投項(xiàng)目實(shí)施主體和地點(diǎn)。

首先來看兆易創(chuàng)新、瀾起科技、佰維存儲、德明利、普冉半導(dǎo)體、聚辰股份的半年報(bào)財(cái)報(bào)。

兆易創(chuàng)新方面，2024年上半年，兆易創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入36.09億元，同比增長21.69%，歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17億元，同比增長53.88%。經(jīng)歷2023年市場需求低迷和庫存逐步去化后，2024年上半年消費(fèi)、網(wǎng)通市場出現(xiàn)需求回暖，帶動公司存儲芯片的產(chǎn)品銷量和營收增長。

在汽車市場，公司車規(guī)閃存產(chǎn)品出貨量保持良好增長。車規(guī)MCU產(chǎn)品與多家國內(nèi)、國際頭部Tier 1公司建立和保持深入合作關(guān)系，產(chǎn)品應(yīng)用包括車燈方案、AVAS方案、無線充電方案、汽車直流無刷電機(jī)控制系統(tǒng)、汽車儀表盤等。在兆易創(chuàng)新的財(cái)報(bào)中，其海外市場營收值得關(guān)注。2021至2023年兆易創(chuàng)新來自于境外地區(qū)的收入分別為70.66億元、67.66億元、45.81億元，占總營收的比例分別為83%、83%、80%。這和該公司在汽車市場業(yè)績的持續(xù)增長密切相關(guān)。

另外，兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。其中，DRAM產(chǎn)品包括DDR3L和DDR4兩個品類，DDR3L產(chǎn)品提供市場通用 1Gb/2Gb/4Gb 容量；DDR4 8Gb產(chǎn)品已流片成功，并已為客戶提供樣片，以4Gb/8Gb容量為市場提供廣泛的應(yīng)用選擇。

瀾起科技披露半年報(bào)顯示，上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入16.65億元，同比增長79.49%，凈利潤高達(dá)5.93億元，同比增長624.63%。與上年同期相比，凈利潤翻了六倍不止。

對于業(yè)績增長，瀾起科技披露，行業(yè)需求實(shí)現(xiàn)恢復(fù)性增長，DDR5下游滲透率提升且DDR5子代迭代持續(xù)推進(jìn)，帶動公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入同比大幅增長，津逮服務(wù)器平臺產(chǎn)品線則實(shí)現(xiàn)了快速增長。瀾起科技上半年業(yè)績十分受益于AI發(fā)展。據(jù)悉，該公司的三款高性能“運(yùn)力”芯片新產(chǎn)品（PCIe Retimer芯片、MRCD/MDB芯片、CKD芯片）呈現(xiàn)快速成長態(tài)勢，第二季度銷售收入合計(jì)約為1.3億元，環(huán)比倍增，成為上半年業(yè)績增長的一大原因。

佰維存儲上半年?duì)I業(yè)收入同比增長199.64%，達(dá)到34.41億元，凈利潤2.83億元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。公司認(rèn)為，數(shù)據(jù)的持續(xù)增長、國產(chǎn)化率的提升以及AI技術(shù)革命是推動存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大要素。

另外，據(jù)佰維存儲官微消息，即將上市的佰維DW100 DDR5內(nèi)存將推出全新CUDIMM規(guī)格（超頻實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合款），頻率可達(dá)9200MT/s CL42。DW100是佰維設(shè)計(jì)的DDR5旗艦級內(nèi)存，相較常規(guī)DDR5內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了突破性的頻率提升。

德明利發(fā)布的半年報(bào)顯示，公司上半年?duì)I業(yè)收入為21.76億元，同比增長268.50%；歸母凈利潤為3.88億元，同比增長588.12%；扣非歸母凈利潤為3.70億元，同比增長536.69%。公告稱，公司營業(yè)收入變化主要由于行業(yè)周期回暖，銷售價(jià)格上漲；以及拓展新客戶增加使得銷售規(guī)模大幅增加。

報(bào)告期內(nèi)，德明利持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，產(chǎn)品矩陣不斷豐富，推出了多款移動存儲、高端固態(tài)硬盤、嵌入式存儲新品，新增了LPDDR、內(nèi)存條產(chǎn)品線，全面覆蓋主流存儲產(chǎn)品類型。其中特別是嵌入式存儲與內(nèi)存條業(yè)拓展順利，成為新的業(yè)績增長點(diǎn)，推動了公司整體營收增長。另外，報(bào)告期內(nèi)，德明利加快完善企業(yè)級存儲、嵌入式存儲和內(nèi)存條等新產(chǎn)品線團(tuán)隊(duì)搭建，新設(shè)立北京研發(fā)中心與杭州研發(fā)中心，通過在芯片產(chǎn)業(yè)聚集地設(shè)置研發(fā)中心的方式積極引進(jìn)高端研發(fā)技術(shù)人才。半年報(bào)還顯示，新一代存儲卡主控芯片及固態(tài)硬盤主控芯片均已進(jìn)入量產(chǎn)階段，模組導(dǎo)入工作進(jìn)展順利。

普冉半導(dǎo)體近期也發(fā)布2024年半年報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，上半年?duì)I收8.96億元，同比增長91.22%；凈利潤1.36億元，同比上升273.78%，上年同期凈虧損7824.95萬元。上半年，受益于IOT、可穿戴設(shè)備、手機(jī)、智能家居等消費(fèi)電子的景氣度回暖、下游終端應(yīng)用的功能升級以及新型終端設(shè)備的場景應(yīng)用等，市場需求有所提升。

公開資料顯示，普冉半導(dǎo)體于2016年成立，位于上海自貿(mào)區(qū)，是一家以從事非易失性存儲器芯片及基于存儲芯片的衍生芯片的設(shè)計(jì)與銷售為主的企業(yè)。

聚辰股份2024年上半年?duì)I收5.15億元，同比增長62.37%；凈利潤1.43億元，同比增長124.93%。官方資料顯示，2024年隨著下游應(yīng)用市場需求逐步回暖，在工業(yè)級EEPROM產(chǎn)品和音圈馬達(dá)驅(qū)動芯片產(chǎn)品受益于產(chǎn)品線的成功迭代，出貨量同比取得較快速增長，SPD產(chǎn)品、NOR Flash產(chǎn)品以及汽車級EEPROM產(chǎn)品的出貨量同比高速增長。

據(jù)悉，聚辰股份擁有存儲類芯片、音圈馬達(dá)驅(qū)動芯片和智能卡芯片三條產(chǎn)品線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)攝像頭模組、內(nèi)存模組、汽車電子等眾多領(lǐng)域。該公司成立于2009年，位于上海市浦東新區(qū)，是一家以專門從事高性能、高品質(zhì)集成電路產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)和銷售，提供應(yīng)用解決方案和技術(shù)支持服務(wù)為主的企業(yè)。

除了發(fā)布最新財(cái)報(bào)以外，國產(chǎn)存儲項(xiàng)目開工、新品發(fā)布等消息不斷。

01
兆易創(chuàng)新：擬向子公司增資8億元，增加DRAM募投項(xiàng)目實(shí)施主體和地點(diǎn)

9月9日，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，公司董事會審議通過增加DRAM募投項(xiàng)目實(shí)施主體和地點(diǎn)，并使用部分募集資金向全資子公司及全資孫公司增資的議案。

圖片來源：兆易創(chuàng)新

公告顯示，兆易創(chuàng)新募集資金投資項(xiàng)目“DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的原實(shí)施主體為兆易創(chuàng)新及全資子公司上海格易，實(shí)施地點(diǎn)為北京市海淀區(qū)及上海市，現(xiàn)擬增加兆易創(chuàng)新全資子公司珠海橫琴芯存、全資孫公司北京芯存、全資孫公司上海芯存、全資孫公司合肥芯存、全資孫公司西安芯存作為募投項(xiàng)目實(shí)施主體，與公司共同實(shí)施募投項(xiàng)目，對應(yīng)增加實(shí)施地點(diǎn)珠海市、北京市朝陽區(qū)、合肥市、西安市，并由公司使用部分募集資金向珠海橫琴芯存增資80,000萬元，再由珠海橫琴芯存 使用募集資金向北京芯存、上海芯存、合肥芯存、西安芯存分別增資1,000萬元、1,000萬元、2,000萬元、5,000萬元以實(shí)施募投項(xiàng)目。

本次除增加實(shí)施主體和地點(diǎn)外，與“DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”相關(guān)的實(shí)施方案等其它內(nèi)容保持不變。兆易創(chuàng)新此前公告顯示，DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資39.92億元，公司擬通過本項(xiàng)目研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

02
憶恒創(chuàng)源發(fā)布國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級SSD

9月3日，憶恒創(chuàng)源發(fā)布旗下首款全國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。該產(chǎn)品基于平頭哥鎮(zhèn)岳510芯片打造，產(chǎn)品性能和能效比大幅提升，在業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)4K隨機(jī)寫100萬IOPS的突破，可應(yīng)用于 AI、數(shù)據(jù)庫、云計(jì)算等領(lǐng)域。

據(jù)悉，憶恒創(chuàng)源新發(fā)布的PBlaze7 7A40系列采用了多項(xiàng)國產(chǎn)自研技術(shù)，在讀寫、延遲等性能指標(biāo)上處于國際領(lǐng)先水平。該產(chǎn)品基于憶恒創(chuàng)源自主統(tǒng)一架構(gòu)平臺 MUFP開發(fā)，在硬件架構(gòu)和自研固件的深度優(yōu)化下，4K隨機(jī)讀性能達(dá)到3300K IOPS，4K隨機(jī)寫性能則實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的1000K IOPS；其充分利用平頭哥鎮(zhèn)岳510主控芯片架構(gòu)優(yōu)勢，通過對I/O路徑全面優(yōu)化和精簡處理流程、優(yōu)化數(shù)據(jù)排布等方式，大幅提高了NAND的讀寫效率，將4K隨機(jī)讀延遲低至55μs，隨機(jī)寫延遲更是降至5μs。

PBlaze7 7A40系列中采用的鎮(zhèn)岳510主控芯片是平頭哥半導(dǎo)體2023年發(fā)布的產(chǎn)品，其使用平頭哥自研芯片架構(gòu)，內(nèi)置大量自研硬件加速模塊，有效平衡性能與功耗；在內(nèi)存和接口方面，支持業(yè)界最領(lǐng)先的DDR5、PCIe 5.0技術(shù)，大幅提升芯片的數(shù)據(jù)吞吐速率；在可靠性方面，通過自研LDPC糾錯算法與介質(zhì)電壓預(yù)測算法，誤碼率比業(yè)內(nèi)標(biāo)桿領(lǐng)先1個數(shù)量級。

03
新型存儲RRAM傳來新進(jìn)展！

近日，悅芯科技和?？莆⑦_(dá)成戰(zhàn)略合作，成功開發(fā)了國內(nèi)首個基于睿科微RRAM IP的芯片量產(chǎn)測試方案，并已正式進(jìn)入量產(chǎn)。

公開資料顯示，RRAM（Resistive Random Access Memory）意為阻變式存儲器，也稱憶阻器，具有尺寸易于縮小，高速度，低功耗，低成本，易與CMOS工藝兼容等諸多特點(diǎn)。這些存儲特性能滿足現(xiàn)新興應(yīng)用領(lǐng)域的需求，未來在消費(fèi)類電子產(chǎn)品（手機(jī)，平板，藍(lán)牙耳機(jī)等），物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)類電子，汽車電子，數(shù)據(jù)中心以及人工智能產(chǎn)品上將得到廣泛運(yùn)用。RRAM以材料的電阻在外加電場作用下，可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換，被稱為前瞻性下一代非揮發(fā)存儲器。

據(jù)介紹，悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test Option功能，為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎(chǔ)上，悅芯科技將繼續(xù)支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn)，為客戶提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測試解決方案。

悅芯科技的T800 SOC自動測試設(shè)備以模塊化設(shè)計(jì)為主要特色，為不同類別的IC器件提供針對性的測試模塊，實(shí)現(xiàn)在單一平臺上擁有測試數(shù)字器件、混合信號器件、SOC芯片器件、嵌入式Flash、獨(dú)立Memory的能力，其性能比肩國際主流SOC ATE測試平臺，目前已廣泛應(yīng)用于FAB，OSAT，Test House, Design House，院校研究所等各類用戶。

悅芯科技成立于2017年2月，專注研發(fā)、生產(chǎn)、銷售各類大規(guī)模集成電路測試設(shè)備。公司SOC測試設(shè)備T800已開發(fā)量產(chǎn)，存儲器測試設(shè)備TM8000正在開發(fā)驗(yàn)證。合肥?？莆t是一家專注于開發(fā)先進(jìn)新型存儲器芯片和接口技術(shù)的科技創(chuàng)新型企業(yè)，致力于開發(fā)阻變式存儲器（RRAM）和接口技術(shù)，將把下一代內(nèi)存技術(shù)推向市場。

04
七彩虹發(fā)布全新DDR5內(nèi)存

近期，七彩虹推出了其全新白羊座（ARIES）系列DDR5內(nèi)存，首批提供了6000MT/s和6400MT/s速率可選，均為32GB（16GB x2）套裝。據(jù)悉，這款內(nèi)存采用了SK海力士A-die顆粒，測試數(shù)據(jù)顯示，讀取速度可達(dá)104.25 GB/s，寫入速度93953 MB/s，復(fù)制速度95946 MB/s，延遲69.4 ns，各項(xiàng)指標(biāo)都較為。

設(shè)計(jì)上，新款內(nèi)存采用一體成型高密度合金馬甲，上面融合了“星矢”元素的設(shè)計(jì)，以白色為底，金黃線條勾勒，厚重的散熱模塊緊密貼合顆粒，對熱量進(jìn)行快速傳導(dǎo)，讓內(nèi)存時刻保持冷靜溫度。

值得一提的是，無論是白羊座系列的DDR4還是DDR5內(nèi)存，均全面支持Intel XMP 2.0及最新的XMP 3.0超頻技術(shù)。這一技術(shù)革新意味著，用戶只需通過簡單的設(shè)置，即可一鍵激活內(nèi)存的超頻潛能，無需繁瑣調(diào)整，即可讓內(nèi)存迅速進(jìn)入最佳性能狀態(tài)。

尤為亮眼的是，DDR5-6000與DDR5-6400規(guī)格的產(chǎn)品，分別搭載了CL38與CL40的低延遲時序，這意味著在提供極致速度的同時，也兼顧了數(shù)據(jù)的快速響應(yīng)與傳輸。