臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進(jìn)度仍落后

　　經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產(chǎn)，領(lǐng)先臺廠2個世代之多，臺系DRAM廠在追趕的進(jìn)度上，再度顯得相當(dāng)吃力。

　　就像過去每次的景氣循環(huán)一樣，當(dāng)走出谷底的初期，國際大廠總是早一步獲利，臺廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺廠再度過年初的財務(wù)危機(jī)之后，隨著DRAM價格開始上揚(yáng)，臺廠好不容易營運(yùn)止血，開始走入現(xiàn)金流入，因此紛紛大量增加投片量。

　　南亞科和華亞科全力轉(zhuǎn)至50奈米制程，速度居于臺廠之冠，惟相較三星仍是落后。

　　近期市場傳出，三星在50奈米制程世代領(lǐng)先后，目前已開始以40奈米制程的DDR3芯片放量投片，領(lǐng)先臺系廠商2個世代之多。相較之下，臺廠雖然努力在投片量上追趕，但制程進(jìn)度上仍舊是敗陣。

　　力晶12寸晶圓廠已開始滿載投片，短期內(nèi)不用籌資轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程的花費(fèi)，追隨爾必達(dá)(Elpida)的腳步，專心放在65奈米和Extra 65奈米制程上，以成本競爭力來看，雖然還追不上三星的50奈米制程，但至少可以縮短與海力士(Hynix)間的競爭距離。

　　南亞科和華亞科雖然誓言要轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，但真正放量的時間點(diǎn)要到2010年才見到，南亞科目前先轉(zhuǎn)入68奈米制程試水溫，等到良率順之后，華亞科2010年在大量轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，屆時會是臺廠中制程轉(zhuǎn)換至50奈最快的業(yè)者，但距離三星的腳步，仍有一段距離在。

　　茂德2010年開始為爾必達(dá)代工DDR3芯片，但茂德原本采用海力士的技術(shù)和設(shè)備，現(xiàn)在要轉(zhuǎn)到爾必達(dá)技術(shù)且做代工，必須要購買新機(jī)臺設(shè)備，未來如何找到資金來添置機(jī)臺設(shè)備，是市場關(guān)注焦點(diǎn);再者，何時取得自有技術(shù)來源，是一個關(guān)注重點(diǎn)。