DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)

　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。

　　DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹(shù)。

　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。

　　新款英特爾處理器

　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)存。盡管英特爾最近推出的芯片許多都能處理DDR2 或DDR3，但基于Nehalem 的新款CPU 有一個(gè)集成的內(nèi)存控制器，可以獨(dú)自支持DDR3 的多個(gè)通道。2010 年，英特爾的路線圖以基于Nehalem 的微處理器為主。

　　制造工藝成熟

　　另外，從制造工藝成熟的角度來(lái)看，內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)做好更迭準(zhǔn)備。其中包括幾個(gè)方面。

　　首先，制造商不斷提高成品率和積累經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)在可以利用最先進(jìn)的光刻技術(shù)以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本生產(chǎn)DDR3。此外，產(chǎn)品制造工藝非常成熟，現(xiàn)有多家廠商可以生產(chǎn)DDR3。

　　OEM 廠商一般不愿過(guò)渡到一個(gè)尚未得到眾多制造商支持的技術(shù)，當(dāng)然不希望像DRAM 這樣的重要產(chǎn)品只有一個(gè)供應(yīng)來(lái)源。謝天謝地，現(xiàn)在所有的DRAM 開(kāi)發(fā)商都可以提供DDR3。

　　圖4 所示為iSuppli 公司對(duì)于2009 年第二季度DRAM市場(chǎng)份額的預(yù)測(cè)。