臺灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術(shù) 疑追趕臺積電

　　臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。

　　據(jù)悉，早前臺積電曾宣布將在明年前三個季度分別開始試產(chǎn)28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產(chǎn)品。