海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

　　據(jù)《韓國時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。

　　這項(xiàng)開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。

　　這篇報(bào)道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報(bào)道還預(yù)計(jì)海力士在2010年將在全球DRAM市場擴(kuò)大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。