海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科

　　國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來，最大規(guī)模的一次行動。

　　目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達、三星半導體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進宣布調(diào)高資本支出。

　　根據(jù)外電指出，海力士在呈交韓國證交所的文件中指出，該公司2010年的資本支出將調(diào)高至1.5兆韓元以上，較原先預估的1兆韓元，大幅增逾50%，在2010年度的資本支出當中，多數(shù)投資將用來提升制程技術以及因應研發(fā)。

　　日前集邦科技(DRAMeXchange)公布的2010年全球DRAM廠資本支出統(tǒng)計中，海力士的資本支出約7億美元，規(guī)模僅次于三星半導體的25.78億美元，以及華亞科的13.85億美元，然海力士調(diào)高之后的資本支出，雖然還是高居全球第三大，卻與華亞科的13.85億美元趨近。

　　海力士的資本支出在2007年達到歷史巔峰，達23.12億美元，之后就呈現(xiàn)逐年衰退的情況，2010年已經(jīng)是2007年的高峰之后，首度突破10億美元的資本支出，以明年全球DRAM廠合計資本支出達78.5億美元計算，海力士的規(guī)模約當全球的16.1%。