4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米
2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程,大舉轉(zhuǎn)換至45納米后,美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示,表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù),并非是制程微縮下的產(chǎn)物,因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后,年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小,競(jìng)爭(zhēng)更激烈。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/105405.htm雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代,其中三星是46納米制程,海力士轉(zhuǎn)進(jìn)44納米制程,但存儲(chǔ)器業(yè)者透露,兩大廠轉(zhuǎn)換的速度是雷聲大雨點(diǎn)小,傳出良率不如預(yù)期,因此量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)延后,也凸顯40納米世代的困難度,連老大哥都有不少難題要克服,因此2010年DRAM產(chǎn)業(yè)號(hào)稱要以制程演進(jìn)增加產(chǎn)出,恐怕位元成長(zhǎng)率會(huì)不如預(yù)期。
值得注意的是,這次的40納米世代大戰(zhàn),爾必達(dá)和美光都不會(huì)缺席,且在轉(zhuǎn)換的時(shí)間點(diǎn)上相當(dāng)接近。繼爾必達(dá)和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳過(guò)50納米制程,直接轉(zhuǎn)45納米制程后,美光陣營(yíng)的華亞科和南亞科也宣布42納米制程提前1季投產(chǎn),將在年中轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程。
華亞科總經(jīng)理高啟全表示,由于50納米制程階段,3家公司就已經(jīng)開始用Immersion機(jī)臺(tái),因此轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程的資金花費(fèi)相對(duì)較少,且技術(shù)門檻相對(duì)較低,華亞科的計(jì)畫是2010年中42納米制程試產(chǎn),年底通過(guò)認(rèn)證,2011年42納米制程進(jìn)入大量,而下半年將會(huì)有50納米制程打前鋒。
華亞科也強(qiáng)調(diào),美光的50納米制程是正統(tǒng)且完整個(gè)1個(gè)世代技術(shù),并非制程微縮下的產(chǎn)物,因此對(duì)成本結(jié)構(gòu)相當(dāng)有信心,預(yù)計(jì)3月開始大量投50納米,預(yù)計(jì)10月旗下13萬(wàn)片產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)換到50納米制程,屆時(shí)全數(shù)產(chǎn)出為2Gb DDR3產(chǎn)品。
爾必達(dá)的42納米制程在2009年底宣布量產(chǎn),瑞晶將在2010年第2季導(dǎo)入,力晶也表示,日前已和爾必達(dá)、瑞晶共同采購(gòu)Immersion機(jī)臺(tái),為轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程做暖身。
DRAM 業(yè)者表示,爾必達(dá)2010年省略50納米,直接跳到45納米世代,技術(shù)層次上算相當(dāng)厲害,但短期要面臨兩個(gè)問(wèn)題,第1是現(xiàn)有的65納米技術(shù)不能做2Gb的 DDR3,第2是跳躍世代的技術(shù)導(dǎo)入,過(guò)去DRAM廠從未有此經(jīng)驗(yàn),因此良率和技術(shù)是否能順利銜接,同業(yè)都相當(dāng)好奇。
DRAM業(yè)者指出,隨著爾必達(dá)和美光在40納米世代上趕上進(jìn)度,與三星和海力士的距離更加縮小,年底4大DRAM陣營(yíng)可望回到同1個(gè)競(jìng)爭(zhēng)起點(diǎn),其中美光打著正統(tǒng)50、40納米旗子,遇上爾必達(dá)這個(gè)擅長(zhǎng)制程微縮的大軍,兩陣營(yíng)廝殺會(huì)更加激烈。
評(píng)論