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三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

作者: 時間:2010-02-02 來源:驅(qū)動之家 收藏

  宣布,全球第一顆采用級別工藝的內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是級別工藝(30-nm class),而不是真正的,也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/105829.htm

  三星這種30nm工藝級內(nèi)存芯片的容量為2Gb,支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓,相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗,因此又稱為綠色內(nèi)存(Green ),另外相比40nm級別工藝量產(chǎn)效率可提高60%,相比50-60nm級別工藝更是可達(dá)兩倍之多。

  三星將在今年下半年量產(chǎn)這種芯片,并以此各種低功耗內(nèi)存條,比如4GB SO-DIMM,用在筆記本 內(nèi)的時候每小時只消耗3W,僅占筆記本總功耗的3%。

  當(dāng)然在臺式機(jī)、服務(wù)器、上網(wǎng)本和各種移動設(shè)備里,這種新工藝內(nèi)存也都有廣泛的用途。



關(guān)鍵詞: 三星電子 DRAM 30nm DDR3

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