NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管,擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性,為客戶提供眾多實用價值。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/105980.htmLFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝,通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的Power-SO8封裝形式,在極端惡劣的工作條件下仍具有出色的耐受性和可靠性。
產(chǎn)品主要特點:
· 3.6 mΩ(典型值),60 V,Power-SO8封裝(PSMN5R5-60YS)
· 10.0 mΩ(典型值),100 V,Power-SO8封裝(PSMN012-100YS)
· 全球首款電阻小于1 mΩ,25V,Power SO8封裝MOSFET開關(guān)型應(yīng)用器件
· Power-SO8器件最高工作溫度:175 °C
· 符合汽車電子器件AEC - Q101標準的Power-SO8封裝
· LFPAK封裝最大額定電流:ID(MAX)=100A
· 支持目視檢測設(shè)備檢測(很多其他Power-SO8產(chǎn)品需要X光檢測)
· 突波耐受
· 符合RoHS規(guī)定,無鹵封裝
除新型Power SO-8封裝產(chǎn)品,恩智浦還推出了符合TO220 (SOT78)業(yè)界標準的60V和100V器件,在原有30V、40V和80V產(chǎn)品基礎(chǔ)進一步擴大了Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品系列在各種應(yīng)用場景下都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。Trench 6硅技術(shù)結(jié)合TO220封裝在提高工作效率,降低開關(guān)損耗,改善電流容量,增加功率密度等方面起到顯著的提升作用,這些對于目前的高性能電源管理應(yīng)用具有重要意義。
產(chǎn)品主要特點:
· 2.4 mΩ(典型值),60 V,TO220封裝 (PSMN3R0-60PS)
· 4.3 mΩ(典型值),100 V,TO220封裝(PSMN5R6-100PS)
· 最高額定工作溫度:175 °C
· 最大額定電流:ID(MAX) = 100 A
· 突波耐受
· 符合RoHS規(guī)定,無鹵封裝
· 低熱阻
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