美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術戰(zhàn)局

　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產品正式問世，同時也全面導入銅制程技術，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產出數量最多，預計在2010年第2季試產，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程，與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。

　　2010 年DRAM市場50納米制程大戰(zhàn)正熱，但各廠也同步積極布局40納米世代制程，預計40納米制程效應下半年可逐漸顯現(xiàn)。繼三星導入46納米制程之后，美光和南亞科也共同宣布42納米2Gb容量DDR3產品正式問世，其主流電壓與之前的1.5伏相比，42納米電壓以1.35伏作為標準，省電幅度可高達 30%。

　　根據DRAM業(yè)者透露，以每片晶圓產出(gross die)計算，美光以42納米制程技術生產2Gb容量的DDR3數量約達1,280顆，三星的46納米和海力士的44納米，每片晶圓產出分別約 1,100~1,200顆和1,000~1,100顆，而爾必達的45納米的每片晶圓產出約1,220顆，相較之下在良率相同情況，美光成本最低。

　　目前導入40納米世代制程速度最快者為三星和海力士，但尚未到大量產出地步，業(yè)界推測仍在良率提升階段，而爾必達已于2009年底宣示45納米制程問世，而美光也將于2010年第2季正式試產，下半年將正式導入。

　　臺廠南亞科、華亞科和瑞晶、力晶等，都將于第2季到第3季期間，開始試產40納米世代技術，其中南亞科和華亞科下半年會以轉進50納米制程為主，公司認為 42納米制程發(fā)酵，要等到2011年才會大量貢獻;而力晶和瑞晶則是直接由65納米轉進45納米，2010年技術主要目標就是全面導入45納米。

　　值得注意的是，爾必達陣營的45納米是采用6F2技術，目前也打算研發(fā)40納米的4F2技術，預計成本可再較原本的45納米制程減少20~30%，而這1顆新產品將由爾必達和力晶、瑞晶在臺灣設立的研發(fā)中心操刀。

　　存儲器業(yè)者分析，等各家DRAM廠都轉進40納米制程生產2Gb的DDR3后，預計每顆成本可降至1美元出頭，屆時各廠平均成本也大幅下滑，足以抵抗DRAM價格下跌壓力。