美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局

　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時(shí)也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比，美光陣營(yíng)的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計(jì)在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時(shí)間點(diǎn)相仿。

　　2010 年DRAM市場(chǎng)50納米制程大戰(zhàn)正熱，但各廠也同步積極布局40納米世代制程，預(yù)計(jì)40納米制程效應(yīng)下半年可逐漸顯現(xiàn)。繼三星導(dǎo)入46納米制程之后，美光和南亞科也共同宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，其主流電壓與之前的1.5伏相比，42納米電壓以1.35伏作為標(biāo)準(zhǔn)，省電幅度可高達(dá) 30%。

　　根據(jù)DRAM業(yè)者透露，以每片晶圓產(chǎn)出(gross die)計(jì)算，美光以42納米制程技術(shù)生產(chǎn)2Gb容量的DDR3數(shù)量約達(dá)1,280顆，三星的46納米和海力士的44納米，每片晶圓產(chǎn)出分別約 1,100~1,200顆和1,000~1,100顆，而爾必達(dá)的45納米的每片晶圓產(chǎn)出約1,220顆，相較之下在良率相同情況，美光成本最低。

　　目前導(dǎo)入40納米世代制程速度最快者為三星和海力士，但尚未到大量產(chǎn)出地步，業(yè)界推測(cè)仍在良率提升階段，而爾必達(dá)已于2009年底宣示45納米制程問世，而美光也將于2010年第2季正式試產(chǎn)，下半年將正式導(dǎo)入。

　　臺(tái)廠南亞科、華亞科和瑞晶、力晶等，都將于第2季到第3季期間，開始試產(chǎn)40納米世代技術(shù)，其中南亞科和華亞科下半年會(huì)以轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程為主，公司認(rèn)為 42納米制程發(fā)酵，要等到2011年才會(huì)大量貢獻(xiàn);而力晶和瑞晶則是直接由65納米轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，2010年技術(shù)主要目標(biāo)就是全面導(dǎo)入45納米。

　　值得注意的是，爾必達(dá)陣營(yíng)的45納米是采用6F2技術(shù)，目前也打算研發(fā)40納米的4F2技術(shù)，預(yù)計(jì)成本可再較原本的45納米制程減少20~30%，而這1顆新產(chǎn)品將由爾必達(dá)和力晶、瑞晶在臺(tái)灣設(shè)立的研發(fā)中心操刀。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者分析，等各家DRAM廠都轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程生產(chǎn)2Gb的DDR3后，預(yù)計(jì)每顆成本可降至1美元出頭，屆時(shí)各廠平均成本也大幅下滑，足以抵抗DRAM價(jià)格下跌壓力。