OmniVision 推出第二代背面照度像素技術

　　OmniVision Technologies, Inc. 是一家領先的高級數(shù)字成像解決方案開發(fā)商，今天宣布推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技術。這套全新的 OmniBSI-2TM 像素架構是數(shù)字成像技術發(fā)展歷史中的重要里程碑，可以為新的成像解決方案提供優(yōu)越的成像質量，對低照度更為敏感。這個架構還將 OmniVision 的像素產品發(fā)展方向延伸至亞微米水平，同時也將帶動數(shù)字成像技術中的微型化發(fā)展。

　　OminiVision 全球行銷副總裁 Bruce Weyer 表示：“OmniBSI-2 讓高解析度成像感應器解決方案產品的外觀尺寸不斷縮小，憑借較小的 z 高度可制造超薄產品。”他還說：“OmniBSI-2 還將數(shù)字成像市場向前推進，因為它可以改善成像質量，增強低照度的性能，由此改善用戶在使用影像應用程序時的體驗。OmniBSI-2 技術還可以應用在大像素成像產品的設計上，從而獲得更佳性能，超越當前的 BSI 和 FSI 成像傳感器。”

　　OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技術，也是第一個利用了 65 納米設計規(guī)則，以 300 毫米銅材料工藝完成的像素技術。這項技術是我們與戰(zhàn)略生產合作伙伴臺積電協(xié)作完成的。在結合了特制的 65 納米設計規(guī)則和新的生產工藝模塊之后，這個 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術達到了行業(yè)領先的低照度敏感度，同時還可以大量改善暗電流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素設計規(guī)則可以取得更優(yōu)越的像素排列、更好的像素隔離，并顯著降低像素串擾。這些優(yōu)勢大大超越了第一代 OmniBSITM 技術，可以產生更好的圖像質量、增強圖像的色彩并改善相機的性能。

　　OmniVision 的工藝工程部門副總裁 Howard Rhodes 博士表示：“將新款的 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術與當前的 1.75 微米 FSI 架構相比，前者的性能遠遠超越后者;同時前者還與當前正在量產的 1.4 微米BSI技術相當。在我們向 1.1 微米 BSI 像素結構轉移的過程中，必須使用臺積電最新的 300 毫米銅材料工藝，這個工藝可以顯著改善設計規(guī)則，使用更多的先進工藝工具，因此獲得更嚴謹?shù)墓に嚳刂?，減少缺陷密度。要獲得這些成功，我們與臺積電的研發(fā)團隊緊密地合作，開發(fā)了多個新工藝模塊，以獲得在光電性能上的改善。我們還利用了我們與合資伙伴 VisEra Technologies 的合作關系，建立了 300 毫米彩色濾光片的生產能力。”

　　“OmniVision 和臺積電在 CMOS 成像傳感器開發(fā)過程中一直就是長期伙伴。我們的工程團隊與他們合作，推動了數(shù)字成像技術的發(fā)展，同時我們也形成了卓越的開發(fā)和生產伙伴關系。”臺積電北美分公司的業(yè)務管理副總裁 Sajiv Dalal 說到。他還接著說：“OmniVision 改用 300 毫米的生產流程后，獲得了明顯的競爭優(yōu)勢。而我們將繼續(xù)投注心力，增進我們的效率，以便在技術上獲得更多領先。”

　　臺積電擁有世界最大的 CIS 生產能力，并且還擁有行業(yè)中最領先的 CIS 技術。在 2009 年，臺積電可生產一千萬片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。

　　Rhodes 博士表示：“臺積電這個伙伴在我們轉移到這個先進工藝的過程中發(fā)揮了非常高的價值。他們在 300 毫米工藝上擁有深厚經驗和專業(yè)知識，不斷增強傳感器性能，這一切都為我們這款新像素技術提供了無限的助力。”

　　OmniVision 的 OmniBSI-2 新技術將在 2010 年 2 月 14 日到 18 日于西班牙巴塞羅那舉辦的移動通信世界大會正式推出，有興趣的客戶可與我們預約，安排產品展示。