IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。

　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準(zhǔn)MOSFET技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗和不斷努力，IR推出了結(jié)合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術(shù)的MOSFET系列，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) ，繼續(xù)開創(chuàng)卓越性能的先河。此外，在未來幾個月，我們將按照產(chǎn)品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準(zhǔn)MOSFET產(chǎn)品，以滿足客戶的需求。”

　　25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅(qū)動應(yīng)用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m?，Qg 達到了 50nC。

　　如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的熱性能，還可以根據(jù)給定的功率損耗要求，比現(xiàn)有解決方案使用更少的元件，節(jié)省電路板空間及成本。

　　所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。