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未來三年內存價格將持續(xù)攀升

作者: 時間:2010-04-01 來源:CnBeta 收藏

  DRAMeXchange傳來噩耗稱的價格在未來三年內將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表示,2001-2003年,內存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復為持續(xù)盈利的狀態(tài),2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期,因此他們預計從2010年開始,在全球經(jīng)濟危機緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內存業(yè)者將再度扭虧為盈,進入新的一輪三年盈利期。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/107559.htm

  不過內存業(yè)者仍然面臨另外一個重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般需要購買昂貴的沉浸式光刻設備。而除了內存業(yè)者以外,其它廠商如臺積電/聯(lián)電燈公司也需要采購這類新設備。目前在沉浸式光刻機市場上占據(jù)老大地位的是ASML公司,這家公司的產(chǎn)品占到了同類產(chǎn)品市場的90%份額。在這種情況之下,沉浸式光刻機的供貨期將大大延長,而這則會使內存業(yè)者試圖提升制程的計劃放緩。



關鍵詞: 半導體 內存芯片

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