三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存
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時(shí)間：2010-04-20
來(lái)源：中國(guó)軟件資訊網(wǎng)
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據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/108127.htm20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。
三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時(shí)開(kāi)發(fā)20納米制程32GB多層單元專(zhuān)用controller，確保了與30納米級(jí)NAND閃存相同的穩(wěn)定性。
三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲(chǔ)卡SD卡。
此外，今年2月公布開(kāi)發(fā)20納米制程64GB NAND閃存的海力士半導(dǎo)體，計(jì)劃于今年第三季度投入量產(chǎn)，英特爾和Micron合資組建的IM Flash技術(shù)有限責(zé)任公司則將于第二季度開(kāi)始批量生產(chǎn)。
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